In this paper previously developed

In this paper previously developed combined model of non-conformal layer growth is used to calculate positions
in thin-film silicon solar cells where defective regions are expected to be formed within semiconductor layers,
depending on the substrate texture. This enablesomission of the textures leading to cells of poor electrical quality
in the early process of optical optimisation of the cells and substrate texture design. Coupled with threedimensional
rigorous optical simulations, substrate textures are optimised with respect to high short-circuit
current and defectless layer growth in micromorph silicon solar cells. Firstly, the approach of determination of
defective regions is validated on realistic structures. Secondly, analysis of the effects of texture shape and of
the material and the thickness of the grown layer is carried out. Thirdly, optimisation of substrate texture for
micromorph type of solar cell is performed for sinusoidal, widened and semi-circular textures. Results on
widened textures show, that smoothing/widening of the valleys does not always suppress the formation of
defective regions in μc-Si:H and a-Si:H layers. A semi-circular type of the texture is determined to be the most
appropriate for defectless absorbers in the analysed micromorph solar cells in substrate configuration, resulting
also in up to 85% increase in short-circuit current of the bottom cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ ก่อนหน้านี้รุ่นพัฒนารวมของชั้นไม่ใช่ conformal เติบโตถูกใช้เพื่อคำนวณตำแหน่งในเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนแบบฟิล์มที่บกพร่องภูมิภาคคาดว่าจะเกิดขึ้นภายในชั้นของสารกึ่งตัวนำขึ้นอยู่กับพื้นผิวพื้นผิว นี้ enablesomission ของพื้นผิวที่นำไปสู่เซลล์ไฟฟ้าคุณภาพดีในช่วงกระบวนการคุณภาพแสงและการออกแบบพื้นผิวพื้นผิว ควบคู่กับ threedimensionalจำลองแสงอย่างเข้มงวด พื้นผิวพื้นผิวเหมาะงานกราฟฟิกกับสูงลัดวงจรชั้นปัจจุบัน และ defectless การเจริญเติบโตในเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน micromorph ประการแรก การกำหนดภูมิภาคที่มีข้อบกพร่องคือตรวจในโครงสร้างจริง ประการที่สอง การวิเคราะห์ผลกระทบ ของรูปทรงพื้นผิว และวัสดุและความหนาของชั้นปลูกที่ดำเนินการ ประการ การเพิ่มประสิทธิภาพของเนื้อพื้นผิวสำหรับทำ micromorph ชนิดของเซลล์แสงอาทิตย์สำหรับพื้นผิว sinusoidal, widened และกึ่งกลม ผลลัพธ์ในwidened พื้นผิวแสดง ที่ราบเรียบ/ขยับขยายของหุบเขาจะระงับการก่อตัวของภูมิภาคที่มีข้อบกพร่องใน μc-Si:H และ -Si:H ชั้น ชนิดวงกลมกึ่งของพื้นผิวที่กำหนดมากที่สุดที่เหมาะสมสำหรับ absorbers defectless ในเซลล์แสงอาทิตย์ analysed micromorph ในการกำหนดพื้นผิว ผลลัพธ์นอกจากนี้ยัง ลดสูงสุดถึง 85% เพิ่มลัดวงจรปัจจุบันของเซลล์ด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้ก่อนหน้านี้ได้รับการพัฒนารูปแบบการรวมกันของการเจริญเติบโตชั้นที่ไม่มาตราส่วนที่ใช้ในการคำนวณตำแหน่ง
ในซิลิกอนแบบฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีข้อบกพร่องภูมิภาคที่คาดว่าจะเกิดขึ้นภายในชั้นเซมิคอนดักเตอร์,
ขึ้นอยู่กับพื้นผิวพื้นผิว enablesomission นี้ของพื้นผิวที่นำไปสู่เซลล์ที่มีคุณภาพไฟฟ้าที่ไม่ดี
ในขั้นตอนการเริ่มต้นของการเพิ่มประสิทธิภาพแสงของเซลล์และพื้นผิวการออกแบบพื้นผิว ควบคู่ไปกับการ threedimensional
จำลองแสงอย่างเข้มงวดพื้นผิวพื้นผิวที่เหมาะสมเกี่ยวกับการลัดวงจรสูง
ชั้นการเจริญเติบโตในปัจจุบันและ defectless ในซิลิกอน micromorph เซลล์แสงอาทิตย์ ประการแรกวิธีการของความมุ่งมั่นของ
ภูมิภาคที่มีข้อบกพร่องคือการตรวจสอบเกี่ยวกับโครงสร้างจริง ประการที่สองการวิเคราะห์ผลกระทบของรูปทรงพื้นผิวและ
วัสดุและความหนาของชั้นโตจะดำเนินการ ประการที่สามการเพิ่มประสิทธิภาพของเนื้อสารตั้งต้นสำหรับ
ประเภทของเซลล์แสงอาทิตย์ micromorph จะดำเนินการสำหรับซายน์, กว้างและพื้นผิวครึ่งวงกลม และผลการ
พื้นผิวกว้างขึ้นแสดงที่เรียบ / การขยับขยายของหุบเขาไม่เคยปราบปรามการก่อตัวของ
ภูมิภาคที่มีข้อบกพร่องในμc-Si: H และ-Si: H ชั้น ชนิดครึ่งวงกลมของพื้นผิวมีความมุ่งมั่นที่จะเป็นส่วนใหญ่
ที่เหมาะสมสำหรับการโช้ค defectless ในการวิเคราะห์เซลล์แสงอาทิตย์ micromorph ในการกำหนดค่าตั้งต้นที่เกิด
ขึ้นยังอยู่ในการเพิ่มขึ้น 85% ในปัจจุบันการลัดวงจรของเซลล์ด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้ไม่พัฒนาก่อนหน้านี้รวมรูปแบบมาตราส่วนของชั้นจะใช้ในการคำนวณตำแหน่ง
ในฟิล์มบางซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ที่คาดว่าจะเกิดขึ้นบริเวณที่บกพร่องภายในชั้นสารกึ่งตัวนำ
ขึ้นอยู่กับพื้นผิวพื้นผิว นี้ enablesomission ของพื้นผิวที่นำเซลล์ของ
คุณภาพไฟฟ้าไม่ดีในขั้นตอนแรกของการเพิ่มประสิทธิภาพทางแสงของเซลล์และการออกแบบพื้นผิวพื้นผิว คู่กับเชอร์รี่
เคร่งครัดแสงจำลอง , พื้นผิวพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพด้วยความเคารพ
ลัดวงจรสูงในปัจจุบันและการเติบโตในชั้น defectless micromorph ซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ ประการแรก แนวคิดของการหา
ภูมิภาคถูกตรวจสอบโครงสร้างบกพร่องจริง ประการที่สองการวิเคราะห์ผลของพื้นผิวและรูปร่างของ
วัสดุและความหนาของโต ชั้น คือ การ ประการที่สามการเพิ่มประสิทธิภาพของพื้นผิวพื้นผิวสำหรับ
micromorph ประเภทของเซลล์แสงอาทิตย์จะถูกดำเนินการสำหรับไซน์กว้างขึ้นและพื้นผิวครึ่งวงกลม ผลลัพธ์ที่ได้บนพื้นผิวที่เรียบ
กว้างแสดง / การขยับขยายของหุบเขาไม่เสมอยับยั้งการก่อตัวของ
ภูมิภาคที่บกพร่องในμ c-si : H และอะมอร์ฟัสซิลิคอน H ชั้น ชนิดครึ่งวงกลมของพื้นผิวว่าจะเป็นส่วนมาก
ที่เหมาะสมสำหรับ defectless โช้คในการวิเคราะห์ micromorph เซลล์แสงอาทิตย์ในค่าตั้งต้นที่เกิด
ยังถึง 85% เพิ่มขึ้นในกระแสลัดวงจรของเซลล์ด้านล่าง