where ˛ is the absorption coefficien

where ˛ is the absorption coefficient, A is the constant, h is the
Planck’s constant, is the photon frequency, Eg is the optical band
gap and n is the 1/2 for direct band gap semiconductors. The
functional relationships between (˛hv)2 and photon energy h for
undoped and Mg-doped ZnO films are shown in

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

˛เป็น coefficient ดูดซึม A คือ ค่าคง h คือการค่าคงของพลังค์ ความถี่ของโฟตอน เช่น เป็นวงแสงgap และ n เป็น 1/2 สำหรับสารกึ่งตัวนำช่องว่างของวงโดยตรง การทำงานความสัมพันธ์ระหว่าง (˛hv) 2 และโฟตอนพลังงาน h สำหรับundoped และ Mg เจือ ZnO films แสดงใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่˛คือการดูดซึม COEF Fi ประสิทธิภาพ, A คือค่าคงที่, H เป็น
คงตัวของพลังค์เป็นความถี่โฟตอน, EG เป็นวงแสง
ช่องว่างและ n คือ 1/2 สำหรับวงดนตรีโดยตรงช่องว่างเซมิคอนดักเตอร์
ความสัมพันธ์การทำงานระหว่าง (HV) 2 และพลังงานโฟตอน H สำหรับ
โคบอลต์และแมกนีเซียมเจือ ZnO LMS Fi จะแสดงใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่˛คือการดูดซึม coef จึง cient , เป็นค่าคงที่ h คือค่าคงที่ของพลังค์เป็นโฟตอน ความถี่ เช่น มีวงแสงช่องว่างและ n คือ 1 / 2 วงตรงช่องว่างของสารกึ่งตัวนำ ที่การทำงานความสัมพันธ์ระหว่าง ( ˛ HV ) 2 และโฟตอนพลังงาน H สำหรับเคมีไฟฟ้า และแมกนีเซียมด้วยเช่นกันจึงจะแสดงในหนัง