The present smart phone market dema

The present smart phone market demands high clock CPU, high resolution displays, and high speed connectivity. These requirements necessitate large power consumption. Therefore, it is very important to use efficiently the limited battery energy [1]. This is why a switch mode power supply (SMPS) is used for the high-current voltage rails in smart phone power systems. Particularly, a boost convertor is used for the display power system because the bias voltage of the display panel is higher than the cell voltage of the Li-ion battery in most cases. For example, the output voltage value of the boost convertor used for the display panel bias is around 5 V, which is close to the absolute maximum rated (AMR) voltage of the boost convertor itself. In the case of a boost convertor, the switching node voltage becomes the same as the output voltage during on duty of high side MOSFET. Therefore, it is more likely to exceed AMR voltage at the switch node in the boost convertor. Moreover, as the high efficiency of the SMPS is being emphasized, the MOSFET’s turn on and turns off speed is getting faster than before in order to reduce the switching loss. As a result, the MOSFET of the SMPS experiences substantial voltage stress such as voltage overshoot and voltage ringing. It is very important to keep the voltage stress below the AMR voltage to prevent MOSFET breakdown. This paper describes a method for reducing the voltage stress over the internal MOSFET of a boost convertor on the printed circuit board (PCB) level.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตลาดสมาร์ทโฟนมีความต้องการสูงนาฬิกา CPU จอแสดงผลความละเอียดสูง และการเชื่อมต่อความเร็วสูง ข้อกำหนดเหล่านี้ช่างพลังงานขนาดใหญ่ ดังนั้น คุณจึงต้องใช้อย่างมีประสิทธิภาพพลังงานแบตเตอรี่จำกัด [1] นี่คือเหตุผลที่ใช้สำหรับรางแรงดันสูงกระแสสลับโหมดไฟ (SMPS) ในระบบไฟฟ้าโทรศัพท์สมาร์ท โดยเฉพาะอย่างยิ่ง แปลงเพิ่มจะใช้สำหรับระบบแสดงผลพลังงานเนื่องจากแรงดัน bias ของจอแสดงผลสูงกว่าแรงดันไฟฟ้าเซลล์แบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบในกรณีส่วนใหญ่ ค่าแรงดันเอาท์พุทของแปลงเพิ่มที่ใช้สำหรับแสดงแผงความโน้มเอียงอย่างประมาณ 5 V ที่จะใกล้เคียงกับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ (AMR) แรงแปลงเพิ่มเอง ในกรณีที่แปลงเพิ่ม แรงดันโหนสลับจะเหมือนกับแรงดันขาออกในระหว่างการปฏิบัติหน้าที่ด้านสูง MOSFET ดังนั้น มันไม่น่าจะเกินแรงดันไฟฟ้าของ AMR ที่โหนด switch ในแปลงเพิ่มขึ้น นอกจากนี้ เป็นการเน้นประสิทธิภาพสูงของ SMPS เปิดของ MOSFET เปิด และปิดเร็วได้รับเร็วกว่าก่อนเพื่อลดการสูญเสียเปลี่ยน เป็นผล MOSFET SMPS ประสบพบแรงเครียดเช่น overshoot แรงดันและแรงดันเสียง มันเป็นสิ่งสำคัญมากเพื่อให้ความเครียดแรงดันแรงดันเพื่อป้องกัน MOSFET แบ่ง AMR เอกสารนี้อธิบายวิธีการลดความเครียดของแรงดันไฟฟ้าผ่าน MOSFET ภายในของแปลงเพิ่มในระดับวงจรบอร์ด (PCB)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตลาดโทรศัพท์สมาร์ทในปัจจุบันความต้องการ CPU สูงนาฬิกาแสดงความละเอียดสูงและการเชื่อมต่อความเร็วสูง ความต้องการเหล่านี้จำเป็นต้องมีการใช้พลังงานที่มีขนาดใหญ่ ดังนั้นจึงเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะใช้อย่างมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานแบตเตอรี่ จำกัด [1] นี่คือเหตุผลที่แหล่งจ่ายไฟสลับโหมด (SMPS) ใช้สำหรับรางแรงดันสูงในปัจจุบันในระบบไฟฟ้าโทรศัพท์สมาร์ท โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นแปลงเพิ่มใช้สำหรับระบบไฟฟ้าจอแสดงผลเพราะแรงดันไฟฟ้าอคติของจอแสดงผลที่สูงกว่าแรงดันไฟฟ้าเซลล์ของแบตเตอรี่ Li-ion ในกรณีส่วนใหญ่ ยกตัวอย่างเช่นค่าไฟฟ้าการส่งออกของแปลงเพิ่มที่ใช้สำหรับอคติแผงหน้าจออยู่ที่ประมาณ 5 V ซึ่งอยู่ใกล้กับสูงสุดแน่นอนจัดอันดับ (AMR) แปลงแรงดันไฟฟ้าของตัวเองเพิ่ม ในกรณีของการแปลงเพิ่มแรงดันไฟฟ้าสลับโหนดจะกลายเป็นเช่นเดียวกับแรงดันขาออกในระหว่างการปฏิบัติหน้าที่ของ MOSFET ด้านสูง ดังนั้นจึงมีแนวโน้มที่จะเกินแรงดันไฟฟ้า AMR ที่โหนดสวิทช์ในแปลงเพิ่ม นอกจากนี้ยังเป็นที่มีประสิทธิภาพสูงของ SMPS จะถูกเน้นเปิด MOSFET บนและจะปิดความเร็วจะได้รับเร็วขึ้นกว่าก่อนเพื่อลดการสูญเสียเปลี่ยน เป็นผลให้ MOSFET ของ SMPS ประสบการณ์ความเครียดแรงดันไฟฟ้าที่สำคัญเช่นแหกแรงดันไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้าที่เรียกเข้า มันเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะให้ความเครียดแรงดันไฟฟ้าด้านล่างแรงดันไฟฟ้า AMR เพื่อป้องกันการสลาย MOSFET กระดาษนี้จะอธิบายวิธีการในการลดความเครียดแรงดันไฟฟ้าที่ผ่าน MOSFET ภายในของแปลงเพิ่มบนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) ระดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัจจุบันความต้องการของตลาดโทรศัพท์สมาร์ท CPU นาฬิกาสูง แสดงผลความละเอียดสูงและความเร็วสูงเชื่อมต่อ ความต้องการเหล่านี้จำเป็นการใช้พลังงานขนาดใหญ่ ดังนั้น , มันเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะใช้มีประสิทธิภาพพลังงานแบตเตอรี่ จำกัด [ 1 ] ทำไมเปลี่ยนโหมดแหล่งจ่ายไฟ ( SMPS ) ใช้สำหรับปัจจุบันสูงแรงดันรางในระบบโทรศัพท์พลังงานสมาร์ท โดยเฉพาะ เพิ่มตัวแปลที่ใช้สำหรับระบบพลังงานแสดงเพราะความต่างศักย์ของจอแสดงผลสูงกว่าแรงดันไฟฟ้าของแบตเตอรี่เซลล์ไอออน Li ในกรณีส่วนใหญ่ ตัวอย่างเช่น แรงดัน output ค่าของเพิ่มตัวแปลที่ใช้จอแสดงผลตั้งค่าประมาณ 5 V , ซึ่งอยู่ใกล้กับสัมบูรณ์สูงสุดคะแนน ( AMR ) แรงดันของตัวแปลงเพิ่มเอง ในกรณีของการเพิ่มตัวแปลการสลับโนดโวลท์เตจ กลายเป็นเหมือนแรงดันในการปฏิบัติหน้าที่ของมอสเฟตด้านข้างสูง ดังนั้นจึงมีแนวโน้มที่จะเกินมิเตอร์แรงดันไฟฟ้าที่เปลี่ยนโหนดในเพิ่มที่แปลง . ยิ่งกว่านั้น ประสิทธิภาพสูงของ SMPS จะถูกเน้นของมอสเฟตเปิดและปิดเร็วได้เร็วขึ้นกว่าก่อน เพื่อลดการสูญเสีย เป็นผลให้ , มอสเฟตของ SMPS ประสบการณ์มากแรงดันความเครียด เช่น แรงดันและแรงดันแบบดัง มันเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะเก็บแรงดันต่ำกว่าแรงดันเพื่อป้องกันความเครียด AMR MOSFET แบ่ง กระดาษนี้จะอธิบายถึงวิธีการลดแรงดันความเครียดไป MOSFET ภายในของคอนเวอร์เตอร์เพิ่มบนแผ่นวงจรพิมพ์ ( PCB ) ระดับ