In a crystal, the discrete energy l

In a crystal, the discrete energy levels of the individual atom broaden into energy bands.
Each quantum state of the individual atom gives rise to a certain energy band. The
bonding combinations of states become the valence bands (VB) of the crystal, and
the anti-bonding combinations of these states become the conduction band (CB). The
energy difference between VB and CB is called energy gap. If the valence bands are
partly filled, this material is p-type, if the conductive bands are partly filled, this
material is n-type. Here Fermi level is used to label the occupation conditions of
electrons in the semiconductor, it is the energy level to which electrons occupy. Fermi
level (EF P ) on p-type is near the valence band and EF N on the n-type is near the
conductive band

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในคริสตัล อะตอมแต่ละระดับพลังงานไม่ต่อเนื่องขยายเป็นแถบพลังงานแต่ละสถานะควอนตัมของอะตอมแต่ละตัวให้ขึ้นแถบพลังงานที่แน่นอน ที่ชุดยึดของอเมริกาเป็น วงเวเลนซ์ (VB) ของคริสตัล และชุดป้องกันการติดยึดของรัฐเหล่านี้เป็น การนำวง (CB) ที่ความแตกต่างของพลังงานระหว่าง VB และ CB จะเรียกว่าช่องว่างของพลังงาน ถ้าวงเวเลนซ์เติมบางส่วน วัสดุนี้เป็นชนิด p ถ้าวงไฟฟ้าบางส่วนการกรอกข้อมูล นี้วัสดุเป็นชนิด n ที่นี่ใช้ระดับพลังงานแฟร์มีการเงื่อนไขอาชีพของอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำที่ มันเป็นระดับพลังงานที่อิเล็กตรอนครอบครอง พลังงานแฟร์มีระดับ (EF P) กับชนิดพีอยู่ใกล้แถบเวเลนซ์ และ EF N กับ n-ชนิดอยู่ใกล้ตัววงไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในคริสตัลระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่องของอะตอมแต่ละขยายเป็นวงพลังงาน.
แต่ละรัฐควอนตัมของอะตอมแต่ละก่อให้เกิดแถบพลังงานบางอย่าง
การรวมกันพันธะของรัฐกลายเป็นวงดนตรีจุ (VB) ของผลึกและ
ชุดป้องกันพันธะของรัฐเหล่านี้กลายเป็นวงดนตรีการนำ (CB)
ความแตกต่างระหว่างพลังงาน VB และ CB ที่เรียกว่าช่องว่างพลังงาน ถ้าวงจุจะ
เต็มไปบางส่วนวัสดุนี้เป็นชนิดพีถ้าวงดนตรีเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าที่เต็มไปบางส่วนนี้
เป็นวัสดุชนิดเอ็น นี่คือระดับแฟร์จะใช้ในการติดป้ายเงื่อนไขการประกอบอาชีพของ
อิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำนั้นมันเป็นระดับพลังงานที่อิเล็กตรอนครอบครอง แฟร์
ระดับ (EF P) ในชนิดพีอยู่ใกล้วงจุและ EF ยังไม่มีในชนิดเอ็นอยู่ใกล้กับ
วงดนตรีเป็นสื่อกระแสไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในคริสตัล , ไม่ต่อเนื่องระดับพลังงานของอะตอมแต่ละขยายเป็นแถบพลังงาน
แต่ละสถานะควอนตัมของอะตอมแต่ละตัวให้ลุกขึ้นไปยังแถบพลังงานบางอย่าง
เชื่อมชุดของรัฐเป็น 2 วง ( VB ) ของผลึก และต่อต้านการรวมกันของรัฐ
เหล่านี้กลายเป็นนำวงดนตรี ( CB )
พลังงานความแตกต่างระหว่าง VB และ CB เรียกว่าช่องว่างพลังงานถ้า 2 วง
เติมบางส่วน วัสดุนี้เป็นพี ถ้าวงการสื่อก็มีส่วนเติมเต็ม วัสดุนี้
อยู่ทั่วไป . ที่นี่แฟร์ระดับใช้ป้ายอาชีพเงื่อนไข
อิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำ เป็นระดับการใช้พลังงานที่อิเล็กตรอนครอบครอง . ระดับพลังงานแฟร์มี
( ตัว P ) พีอยู่ใกล้กับ 2 วงดนตรีและตัว N ในทั่วไปคือใกล้
วงกระแสไฟฟ้า