siliconnano-wires (SiNWs), in parti

silicon
nano-wires (SiNWs), in particular, have attracted
much attention because of their particular semiconductor
characteristics [7–10]. Till, several
methods have been used to synthesize SiNWs
[11–13]. Among them, the thermal evaporation of
silicon wafer directly at high temperature by solid–
liquid–solid (SLS) mechanism is a simple and
effective technique

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิคอนนาโนสาย (SiNWs), โดยเฉพาะ มีการดึงดูดความสนใจมากเนื่องจากสารกึ่งตัวนำเฉพาะของพวกเขาลักษณะ [7-10] จนถึง หลายการใช้วิธีการสังเคราะห์ SiNWs[11-13] ในหมู่พวกเขา ระเหยความร้อนของแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนโดยตรงที่อุณหภูมิสูงโดยของแข็ง –กลไกของเหลวของแข็ง (SLS) เป็นที่เรียบง่าย และเทคนิคที่มีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิกอน
สายนาโน (SiNWs) โดยเฉพาะอย่างยิ่งได้ดึงดูด
ความสนใจมากเพราะเซมิคอนดักเตอร์ของพวกเขาโดยเฉพาะอย่างยิ่ง
ลักษณะ [7-10] จนหลาย
วิธีการได้ถูกนำมาใช้ในการสังเคราะห์ SiNWs
[11-13] ในหมู่พวกเขาระเหยความร้อนของ
แผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนโดยตรงที่อุณหภูมิสูงโดย solid-
ของเหลวของแข็ง (SLS) เป็นกลไกที่ง่ายและ
เทคนิคที่มีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลวดนาโนซิลิคอน
( sinws ) โดยได้ดึงดูดความสนใจมากเนื่องจากของพวกเขาโดยเฉพาะ

) ลักษณะ [ 7 – 10 ] จนกระทั่งหลายวิธีได้ถูกใช้เพื่อสังเคราะห์ sinws

[ 11 – 13 ] ในหมู่พวกเขา , ความร้อนระเหย
แผ่นซิลิคอนโดยตรงที่อุณหภูมิสูงโดยของแข็งและของเหลว - ของแข็ง ( SLS )

เทคนิคกลไกเป็นง่ายและมีประสิทธิภาพ