a b stractA layer of nanocrystallin

a
b
stract
A layer of nanocrystalline 3C–SiC film was synthesized on silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) bythermally carbonizing the surfaceof Si-NPA in a graphite crucible and a 3C–SiC/Si nanoheterojunction(named SiC/Si-NPA) was fabricated. Room-temperature photoluminescence of SiC/Si-NPA was studiedand strong light emissions peaked at 383, 402 and 420 nm were observed from SiC/Si-NPA when it wasexcited by 300 nm fluorescent light. The I–V characteristics of SiC/Si-NPA were measured. Obvious recti-fication behavior and low leakage current were found in the prepared SiC/Si-NPA diodes. Based on the I–Vmeasurements the conduction mechanism in SiC/Si-NPA under positive applied voltage was explained.Our results indicate that SiC/Si-NPA might be a valuableheterostructure nanosystem to befurther probedfor achieving enhanced optical and electrical properties

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การ b stractชั้นของ film 3C – SiC nanocrystalline ถูกสังเคราะห์ในซิลิคอน nanoporous เสาเรย์ (ซี-NPA) bythermally carbonizing surfaceof ศรี-NPA ในครูซิเบิลเป็นแกรไฟต์ และ nanoheterojunction 3C – SiC/ศรี (ชื่อ SiC ศรี-NPA) ถูกหลังสร้าง อุณหภูมิห้อง photoluminescence ของ SiC ศรี-NPA ถูกแสงจ้า studiedand ปล่อย peaked ที่ 383, 402 และ 420 nm ได้สังเกตจาก SiC ศรี-NPA เมื่อมัน wasexcited โดย 300 nm fluorescent แสง ลักษณะ – V ของ SiC ศรี-NPA ได้วัด ลักษณะการทำงานของ fication recti ชัดเจนและกระแสรั่วไหลต่ำพบในไดโอดได้ SiC ศรี-NPA เตรียมไว้ ตามผม – Vmeasurements ได้อธิบายกลไกนำใน SiC ศรี-NPA ภายใต้แรงดันบวกที่ใช้ ผลของเราบ่งชี้ว่า SiC ศรี-NPA อาจ nanosystem valuableheterostructure การบรรลุขั้นสูงคุณสมบัติของแสง และไฟฟ้า probedfor befurther

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ข
stract
ชั้นของ nanocrystalline สาย 3C-SiC lm ความถูกสังเคราะห์ในซิลิกอนอาร์เรย์เสา nanoporous (Si-NPA) bythermally carbonizing surfaceof Si-NPA ในเบ้าหลอมกราไฟท์และ 3C-SiC / ศรี nanoheterojunction (ชื่อดังนี้ / Si-NPA) ประดิษฐ์ อุณหภูมิห้อง photoluminescence ของ SiC / Si-NPA เป็น studiedand การปล่อยแสงที่แข็งแกร่งแหลมที่ 383, 402 และ 420 นาโนเมตรถูกตั้งข้อสังเกตจาก SiC / Si-NPA เมื่อมัน wasexcited 300 นาโนเมตรชั้น uorescent แสง ลักษณะ I-V ของ SiC / Si-NPA วัด ที่เห็นได้ชัดพฤติกรรมไอออนบวกไฟ recti- และการรั่วไหลต่ำในปัจจุบันที่พบในที่เตรียมไว้ดังนี้ / Si-NPA ไดโอด ขึ้นอยู่กับ I-Vmeasurements การนำกลไกใน SiC / Si-NPA ประยุกต์ภายใต้แรงดันบวก explained.Our ผลแสดงให้เห็นว่า SiC / Si-NPA อาจจะ nanosystem valuableheterostructure เพื่อ befurther probedfor บรรลุการปรับปรุงคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็น stract
B

ชั้นของ nanocrystalline 3C – SIC จึง LM ถูกสังเคราะห์ในซิลิคอน nanoporous เสาเรย์ ( ศรี NPA ) bythermally คาร์บอนไนซ์ที่ surfaceof ศรี NPA ในเบ้าหลอมโลหะและ 3C – SIC / ศรี nanoheterojunction ( ชื่อ SIC / ศรี NPA ) เป็นสิ่งที่ถูกสร้างขึ้น อุณหภูมิของห้องแบบ SIC / ศรี NPA เป็น studiedand แสงมลพิษ , 383 ,แล้ว 420 nm พบจาก SIC / ศรี NPA เมื่อมัน wasexcited 300 nm fl uorescent แสง ผม– 5 ลักษณะของ SIC / ศรี NPA เป็นวัด ชัดเจน recti - พฤติกรรมและการถ่ายทอดกระแสรั่วไหลต่ำพบในเตรียม SIC / ศรี NPA ไดโอด ตามฉัน ( vmeasurements ผ่านกลไกใน SIC / ศรี NPA ภายใต้ความต่างศักย์บวกได้อธิบายผลของเราระบุว่า SIC / ศรี NPA อาจจะ valuableheterostructure nanosystem เพื่อ befurther probedfor ขบวนการเพิ่มแสงและไฟฟ้าคุณสมบัติ