In the beginning of the ALD process

In the beginning of the ALD process, a silicon wafer (substrate) is placed into the center of the reactor, which is flushed over with nitrogen at first. Then, it will be heated to the deposition temperature (e.g. 200C).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดเริ่มต้นของกระบวนการ ALD วางแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน (พื้นผิว) เป็นศูนย์กลางของเครื่องปฏิกรณ์ ซึ่งเป็น flushed กับไนโตรเจนที่ first แล้ว มันจะถูกอุ่นอุณหภูมิสะสม (เช่น 200C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการเริ่มต้นของกระบวนการมรกต, เวเฟอร์ซิลิกอน (พื้นผิว) จะถูกวางลงตรงกลางของเครื่องปฏิกรณ์ซึ่งเป็นชั้น ushed ไปด้วยไนโตรเจนที่สายแรก จากนั้นก็จะมีความร้อนที่อุณหภูมิสะสม (เช่น 200C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการเริ่มต้นของกระบวนการ ald , ซิลิคอนเวเฟอร์ ( Substrate ) ตั้งอยู่ในกลางของเตาปฏิกรณ์ ซึ่งfl ushed กับไนโตรเจนจึงตัดสินใจเดินทาง . แล้วมันก็จะอุ่นให้อุณหภูมิสะสม ( เช่น 200 )