To demonstrate such feasibility, Cu

To demonstrate such feasibility, Cu/Ge/Pd and Cu/Pt/Ti/Pt
structures were applied to the half wafer of the InGaP/InGaAs/Ge
triple-junction solar cells as frontside and backside contacts.
Conventional n-type ohmic metal (Au/Ni/Ge/Au) and p-type ohmic
metal (Au/Pt/Ti) were deposited on the other half of the same
wafer for direct comparison

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงให้เห็นถึงความเป็นไปดังกล่าว Cu/Ge/Pd และ Cu/Pt/ตี้/Ptโครงสร้างถูกนำไปใช้กับแผ่นเวเฟอร์ครึ่งของ InGaP/InGaAs/Geเซลล์แสงอาทิตย์เชื่อมต่อทริปเปิ้ลเป็นติดต่อ frontside และด้านหลังปกติ n ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Ni/Ge/Au) และ p-ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Pt/ตี้) ได้ฝากบนครึ่งเดียวกันแผ่นเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงความเป็นไปได้เช่นทองแดง / Ge / Pd และทองแดง / Pt / ตี / Pt
โครงสร้างถูกนำไปใช้กับเวเฟอร์ครึ่งหนึ่งของ InGaP / InGaAs /
จีอีสามแยกเซลล์แสงอาทิตย์รายชื่อfrontside และด้านหลัง.
ธรรมดาชนิดเอ็นโลหะ ohmic ( Au / Ni / Ge / Au) และชนิดพี ohmic
โลหะ (Au / Pt / Ti)
ถูกวางลงบนอีกครึ่งหนึ่งของเดียวกันเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อแสดงให้เห็นถึงความเป็นไปได้ดังกล่าว จุฬาฯ / GE / PD และ Cu / PT / Ti / PT
โครงสร้างเพื่อใช้ครึ่งแผ่นเวเฟอร์ของ ingap / ไทยกลุ่ม GE
สามแพร่ง เซลล์แสงอาทิตย์เป็นผู้ติดต่อ frontside และด้านหลัง .
ปกติทั่วไปค่าโลหะ ( AU / ผม / พี่ / AU ) และพีค่า
( โลหะ AU / PT / Ti ) เป็นเงินครึ่งหนึ่งของเวเฟอร์เดียวกัน
สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง