MOSFET drive techniques can be used

MOSFET drive techniques can be used where the off biasing needs to be stronger. The positive gate drive should be such that the full saturation is guaranteed and short-circuit current is limited. A negative voltage bias is used to improve the IGBT immunity to collector emitter dV/dt injected noise and to reduce turn-off losses. Figure 8 shows a simplified IGBT gate driver.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มอสเฟตขับรถเทคนิคสามารถใช้ที่ biasing ปิดต้องให้แข็งแกร่ง ไดรฟ์บวกประตูควรเช่นที่อิ่มเต็มเป็นรับประกัน และการลัดวงจรปัจจุบันถูกจำกัด ใช้อคติแรงดันไฟฟ้าลบ เพื่อปรับปรุงภูมิคุ้มกันของ IGBT เพื่อเก็บรวบรวมตัวส่งเสียง dV/dt ฉีด และลดความสูญเสียหันออก รูปที่ 8 แสดงโปรแกรมควบคุมประตู IGBT แบบง่าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

MOSFET เทคนิคการไดรฟ์ที่สามารถนำมาใช้ให้น้ำหนักที่ออกจะต้องมีความแข็งแรง ไดรฟ์ประตูบวกควรเช่นที่อิ่มตัวเต็มรูปแบบมีการรับประกันและการลัดวงจรปัจจุบันถูก จำกัด แรงดันไฟฟ้าอคติเชิงลบจะใช้ในการปรับปรุงภูมิต้านทาน IGBT เพื่อสะสมอีซีแอล dV / dt ฉีดเสียงรบกวนและลดการสูญเสียเปิดปิด รูปที่ 8 แสดงให้เห็นว่าคนขับประตู IGBT ง่าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคขับมอสเฟต สามารถใช้ที่ปิดขยายต้องแข็งแกร่ง . ไดรฟ์ประตูบวกควรเช่นที่ความอิ่มตัวเต็มรับประกันและการลัดวงจรปัจจุบันจำกัด เป็นความต่างศักย์ลบใช้ในการปรับปรุงการสูญเสียภูมิคุ้มกันเพื่อสะสมอีซี DV / DT ฉีดและปิดเสียงเพื่อลดการสูญเสีย รูปที่ 8 แสดงแบบ IGBT ที่ประตูคนขับ