Cd1-xNixO ceramics were synthesized

Cd1-xNixO ceramics were synthesized by the conventional solid state reaction method and the effect of Ni
doping on the thermoelectric performance of CdO was investigated. The introduction of Ni led to dramatic
changes in the electrical transport behaviors of CdO ceramics and thus an improvement in power
factor, which were suggested to be related to the widening of the band gap as well as the formation of an
impurity level in the band gap of CdO after the substitution of Ni2þ for Cd2þ. Doping of Ni also had a
significant influence on the microstructure of CdO along with the development of NiO second phase
when the Ni concentration exceeded 1%, which effectively suppressed the heat transfer by enhanced
phonon scattering. Benefiting from the improved power factor and the reduced thermal conductivity, a
high ZT of 0.43 was achieved in the Cd0.99Ni0.01O sample at about 1000 K.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เครื่องเคลือบ Cd1 xNixO ถูกสังเคราะห์ ด้วยวิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็งทั่วไปและผลของ Niโดปปิงค์ประสิทธิภาพแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของ CdO ถูกตรวจสอบ แนะนำของ Ni นำการละครการเปลี่ยนแปลงในลักษณะการทำงานของขนส่งไฟฟ้าของเซรามิกส์ CdO และทำการปรับปรุงอำนาจปัจจัย ซึ่งได้แนะนำเกี่ยวข้องกับการขยับขยายช่องว่างของวงรวมทั้งการก่อตัวของ การระดับมลทินในช่องว่างวงของ CdO หลังจากการแทนที่ของ Ni2þ สำหรับ Cd2þ โดปปิงค์ของ Ni ยังมีการอิทธิพลสำคัญต่อโครงสร้างจุลภาคของ CdO พร้อมพัฒนา NiO ระยะที่สองเมื่อความเข้มข้นของ Ni เกิน 1% ที่ถูกระงับการถ่ายโอนความร้อนโดยมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นphonon scattering การ เกียรติยศจากตัวคูณพลังงานดีขึ้นและนำความร้อนที่ลดลง การZT สูงของ 0.43 สำเร็จในตัวอย่าง Cd0.99Ni0.01O ที่ประมาณ 1000 คุณ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซรามิก CD1-xNixO ถูกสังเคราะห์โดยทั่วไปวิธีการเกิดปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคงและผลของ Ni
ยาสลบกับประสิทธิภาพของเทอร์โม CDO ถูกตรวจสอบ การแนะนำของ Ni
นำไปสู่การแสดงละครการเปลี่ยนแปลงในพฤติกรรมการขนส่งทางไฟฟ้าของเซรามิกCDO และทำให้การปรับปรุงในอำนาจปัจจัยที่มีการชี้ให้เห็นว่าจะเกี่ยวข้องกับการขยับขยายของช่องว่างวงเช่นเดียวกับการก่อตัวของที่ระดับการปนเปื้อนในช่องว่างวงของ CDO หลังจากทดแทนNi2þสำหรับCd2þ ยาสลบของ Ni ยังมีอิทธิพลสำคัญในจุลภาคของCDO พร้อมกับการพัฒนาระยะที่สอง NiO เมื่อความเข้มข้น Ni เกิน 1% ที่มีประสิทธิภาพปราบปรามการถ่ายเทความร้อนที่เพิ่มขึ้นจากการกระเจิงphonon ได้รับประโยชน์จากปัจจัยพลังงานที่ดีขึ้นและการนำความร้อนลดลงเป็นZT สูง 0.43 ก็ประสบความสำเร็จในตัวอย่าง Cd0.99Ni0.01O ที่ประมาณ 1000 เค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

xnixo CD1 เซรามิคสังเคราะห์โดยทั่วไปปฏิกิริยาสถานะของแข็งวิธีการและผลของการเติมต่อสมรรถนะเทอร์โมนิ
ของ CDO ถูกตรวจสอบ เบื้องต้นผมนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงอย่างมาก
ในการขนส่งไฟฟ้าพฤติกรรมของ CDO เซรามิก และดังนั้นจึง ปรับปรุงตัวประกอบกำลังไฟฟ้า
,ซึ่งแนะนำให้เกี่ยวข้องกับการขยับขยายวงช่องว่างตลอดจนการสะสมของความสกปรกระดับ
ช่องว่างแถบของ CDO หลังการใช้ ni2 þสำหรับ CD2 þ . ยาสลบของชั้นก็มี
อย่างมีนัยสำคัญมีอิทธิพลต่อโครงสร้างจุลภาคของ CDO ควบคู่กับการพัฒนา
ระยะที่สองเมื่อฉันพบนีโอเกิน 1% ซึ่งมีประสิทธิภาพสามารถถ่ายโอนความร้อนเพิ่มขึ้น
โดยกระเจิง Phonon . ได้รับประโยชน์จากการปรับปรุงปัจจัยพลังงานและลดความร้อนการนำความร้อน ,
ZT สูง 0.43 สําเร็จในตัวอย่าง cd0.99ni0.01o ประมาณ 1000 K .