In order to verify the explored rel

In order to verify the explored relationship between the
maximum did/dt and diode chip temperature Tj during the
recovery period, a high power device test bench in Fig.2 is
used. The experimental waveforms of diode reverse recovery
current id and collector voltage vce under different diode chip
temperatures at Vdc=1600V and IL=500A are shown in Fig.4.
dt
di Lv d
eE - eE ×=
Figure.3. P-i-N diode reverses recovery waveforms and IGBT voltage
waveforms.
4025
The bus capacitors are 1000µF, to maintain the bus voltage.
The load inductor is 400µH to ensure near constant current
during the tested switching period. The inspected P-i-N
diode DM temperature is defined as TD, and the chip
temperature is controlled by a heating plate and varied
between 25o
C to 125o
C by averaging successive regulation,
meanwhile the temperature of the enabling IGBT module is
maintained at 25o
C. In this way, influence on the reverse
recovery process caused by the IGBT characteristics is
eliminated. From Fig.4, the current waveforms before the
peak are the same because of the unchanged enabling IGBT
temperature and the fixed external circuit parameters. The
peak reverse recovery current increases from 400A

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อตรวจสอบความสัมพันธ์ระหว่าง exploredสูงสุดไม่ได้ / dt และไดโอดชิ Tj อุณหภูมิในระหว่างการมีม้านั่งทดสอบอุปกรณ์พลังงานสูงใน Fig.2 ระยะใช้ Waveforms ทดลองของการฟื้นตัวย้อนกลับของไดโอดปัจจุบันรหัสและเก็บแรงดัน vce ภายใต้ชิไดโอดแตกต่างกันอุณหภูมิที่ Vdc = 1600V และ IL = 500A แสดงใน Fig.4dtดีแอลวีดิeE - eE × =Figure.3. P-i-N ไดโอดสลับ waveforms กู้คืนและแรงดันของ IGBTwaveforms4025ตัวเก็บประจุรถได้ 1000µF รักษาแรงดันบัสมือโหลดเป็น 400µH ให้ใกล้ค่าคงปัจจุบันช่วงทดสอบสลับกัน ตรวจสอบ P-i-Nไดโอด DM อุณหภูมิไว้เป็น TD การชิพอุณหภูมิจะควบคุม โดยแผ่นทำความร้อน และแตกต่างกันระหว่าง 25oC ถึง 125oC โดยระเบียบต่อเนื่อง การหาค่าเฉลี่ยในขณะเดียวกัน อุณหภูมิของโม IGBT ที่เปิดใช้งานอยู่รักษาที่ 25oC. ในวิธีนี้ มีอิทธิพลต่อในการย้อนกลับกระบวนการคืนค่าที่เกิดจากลักษณะ IGBTตัดออกไป จาก Fig.4, waveforms ปัจจุบันก่อนการสูงสุดเท่ากันเนื่องจาก IGBT เปิดใช้งานไม่เปลี่ยนแปลงอุณหภูมิและพารามิเตอร์วงจรถาวรภายนอก ที่ปัจจุบันกู้ย้อนหลังสูงสุดเพิ่มจาก 400A

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะตรวจสอบความสัมพันธ์ระหว่างการสำรวจสูงสุดได้ / dt และชิปไดโอดอุณหภูมิ Tj ในช่วงระยะเวลาการกู้คืนม้านั่งทดสอบอุปกรณ์พลังงานสูงในรูปที่2 จะถูกนำมาใช้ รูปคลื่นการทดลองของการกู้คืนไดโอดกลับรหัสกระแสและแรงดันสะสม VCE ภายใต้ไดโอดชิปที่แตกต่างกันอุณหภูมิที่Vdc = 1600V และ IL = 500A ที่แสดงอยู่ใน Fig.4. dt ดิเลเวล d EE - EE × = Figure.3 ไดโอด PIN ฝืนคลื่นกู้คืนและ IGBT แรงดันรูปคลื่น. 4025 ประจุรถบัส1000μFเพื่อรักษาแรงดันไฟฟ้ารถบัส. เหนี่ยวโหลดเป็น400μHเพื่อให้แน่ใจว่าที่อยู่ใกล้คงที่ในปัจจุบันในช่วงเวลาเปลี่ยนผ่านการทดสอบ ตรวจสอบ PIN ไดโอดอุณหภูมิ DM ถูกกำหนดให้เป็น TD และชิปอุณหภูมิจะถูกควบคุมโดยแผ่นความร้อนและแตกต่างกันระหว่าง25o C ถึง 125o C โดยเฉลี่ยระเบียบต่อเนื่องในขณะที่อุณหภูมิของโมดูลIGBT การเปิดใช้งานจะถูกเก็บรักษาไว้ที่25o ซี ด้วยวิธีนี้มีอิทธิพลต่อย้อนกลับกระบวนการกู้คืนที่เกิดจากลักษณะ IGBT ที่มีการตัดออก จาก Fig.4, รูปคลื่นปัจจุบันก่อนที่จะจุดสูงสุดเหมือนกันเพราะIGBT ช่วยให้การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิและพารามิเตอร์วงจรภายนอกคงที่ สูงสุดกู้คืนกลับเพิ่มขึ้นในปัจจุบันจาก 400A

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อตรวจสอบค่าความสัมพันธ์ระหว่าง
สูงสุด / DT และไดโอดอุณหภูมิทีเจชิปในระหว่าง
ระยะเวลาการกู้คืน , อุปกรณ์สูงอำนาจการทดสอบใน fig.2 คือ
ใช้ . จำนวนรูปคลื่นของไดโอดกลับฟื้นตัว
ปัจจุบัน ID และสะสมแรงดัน vce ภายใต้อุณหภูมิที่แตกต่างกัน ไดโอด ชิ =
= 500a อิล 1600v VDC และแสดงใน fig.4 .

D
LV DT ดิ อี - อี× =
รูปที่ 3p-i-n ไดโอดกลับสามารถกู้คืนและการสูญเสียแรงดัน

1
3 . รถเมล์ capacitors 1000 µ F , รักษารถแรงดันเหนี่ยว
โหลด 400 µ H เพื่อให้ใกล้
กระแสคงที่ในระหว่างการทดสอบการเปลี่ยนระยะเวลา การตรวจสอบ p-i-n
ไดโอด DM อุณหภูมิหมายถึง TD และชิป
อุณหภูมิถูกควบคุมโดยเครื่องจานและแตกต่างกันระหว่าง 25o

C
125oC โดยเฉลี่ยระเบียบต่อเนื่อง
ขณะที่อุณหภูมิของการใช้งานโมดูล IGBT
รักษาที่ 25o
C . ในวิธีนี้ , อิทธิพลย้อนกลับ
กระบวนการกู้คืนที่เกิดจากการสูญเสียลักษณะ
ตัด จาก fig.4 , รูปคลื่นกระแสก่อน
ยอดเหมือนกันเพราะไม่เปลี่ยนแปลงทำให้ IGBT
อุณหภูมิและแก้ไขภายนอกวงจรพารามิเตอร์
สูงสุดกลับฟื้นตัวเพิ่มขึ้น จากปัจจุบัน 400a