Electron cyclotron resonance (ECR)

Electron cyclotron resonance (ECR) discharges are one of
the earliest high electron density reactors to be considered due
to their ability to obtain a high degree of ionization at low gas
pressures [1–4] and offer a number of potential processing
advantages including large generation rate for reactive
species, adequate ion energy, electrode-less plasma production,
and high-speed processing. Furthermore, due to low
operating pressures, an anisotropic ion velocity distribution
function can be achieved, providing good profile control in
etching, and the growth of large-size dust particles can be
controlled in deposition devices compared to a conventional
RF discharge [5,6]. Thus, an ECR plasma is now an essential
source of fabricating microchips for ULSI, and the development
of an ECR plasma with plasma parameter variable has
become one of the most important subjects in order to
promote further progresses in semiconductor processing.
Since the production of reactive species including plasma
production or the decomposition of source gas molecules are
triggered by electron collisions, the control of the electron

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปล่อยอิเล็กตรอน cyclotron การสั่นพ้อง (ECR) เป็นหนึ่งเตาปฏิกรณ์ความหนาแน่นอิเล็กตรอนสูงที่สุดจะถือว่าครบกำหนดเพื่อความสามารถในการรับการ ionization ในก๊าซต่ำระดับสูงมีหมายเลขของการประมวลผลที่อาจเกิดขึ้นและความดัน [1-4]ประโยชน์รวมถึงสร้างใหญ่อัตราปฏิกิริยาสปีชีส์ พลังงานไอออนเพียงพอ การ ผลิตไฟฟ้าน้อยกว่าจอพลาสม่าและประมวลผลความเร็วสูง นอกจากนี้ เนื่องจากต่ำปฏิบัติการกดดัน การกระจายความเร็ว anisotropic ไอออนฟังก์ชันสามารถทำได้ ให้ควบคุมโพรไฟล์ดีกัด และการเติบโตของอนุภาคฝุ่นขนาดใหญ่ที่สามารถควบคุมในอุปกรณ์สะสมเมื่อเทียบกับแบบธรรมดาRF ปล่อย [5,6] ดังนั้น เป็นพลาสม่า ECR เป็นจำเป็นแหล่งที่มาของ fabricating microchips ULSI และการพัฒนาของทีวีพลาสม่า ECR กับพลาสม่า ตัวแปรพารามิเตอร์ได้เป็นเรื่องสำคัญที่สุดเพื่ออย่างใดอย่างหนึ่งส่งเสริมการดำเนินต่อไปในการประมวลผลของสารกึ่งตัวนำตั้งแต่การผลิตพันธุ์ปฏิกิริยารวมทั้งพลาสม่าผลิตหรือการเน่าของแหล่งก๊าซโมเลกุลทริกเกอร์ โดยอิเล็กตรอนตาม การควบคุมอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรโซแนนซ์ไซโคลตรอนอิเล็กตรอน ( ECR ) ไหลเป็นหนึ่งใน
เร็วสูงความหนาแน่นของอิเล็กตรอนของเครื่องปฏิกรณ์นิวเคลียร์ได้รับการพิจารณาเนื่องจาก
ความสามารถที่จะได้รับระดับสูงของไอก๊าซความดันต่ำ
[ 1 – 4 ] และมีจำนวนของข้อได้เปรียบที่มีขนาดใหญ่ รวมถึงการประมวลผล
อัตราการเกิดน้ำเสีย
ชนิดไอออนพลังงานเพียงพอ การผลิตพลาสมาไฟฟ้าน้อยกว่า
และการประมวลผลความเร็วสูง Furthermore, due to low
operating pressures, an anisotropic ion velocity distribution
function can be achieved, providing good profile control in
etching, and the growth of large-size dust particles can be
controlled in deposition devices compared to a conventional
RF discharge [5,6]. Thus, an ECR plasma is now an essential
source of fabricating microchips for ULSI, and the development
ของพลาสมา ECR กับตัวแปรพลาสมาพารามิเตอร์ได้
เป็นหนึ่งในวิชาที่สำคัญที่สุดในการส่งเสริมความก้าวหน้าต่อไปในกระบวนการผลิตสารกึ่งตัวนำ
.
ตั้งแต่การผลิตชนิดของปฏิกิริยารวมทั้งพลาสม่า
การผลิตหรือการสลายตัวของแหล่งก๊าซโมเลกุล
เกิดจากการชนอิเล็กตรอน , การควบคุมของอิเล็กตรอน