B. Current Density (J)The maximum c

B. Current Density (J)
The maximum current density is about 6.115 xl 02 Alm2 as
shown in Fig. 3 simulation results. This maximum current
density is significantly higher than conventional power diode
made from silicon [21 ]-[31]. Moreover, CNT can handle high
current density because it possesses tremendously high surface
area and linear geometry [15]-[21]. The (I-V) characteristic of
BSWCNT-based power diode is closer to the ideal
characteristics as demonstrated in Fig. 4.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

B. ความหนาแน่นปัจจุบัน (J)ความหนาแน่นของกระแสสูงสุดคือ ประมาณ 6.115 xl 02 Alm2 เป็นแสดงในผลการทดลอง Fig. 3 ปัจจุบันนี้สูงสุดความหนาแน่นเป็นอย่างมากมากกว่าไดโอดทั่วไปอำนาจทำจากซิลิคอน [21] - [31] นอกจากนี้ บริษัทสามารถจัดการสูงปัจจุบันความหนาแน่นเนื่องจากจะมีพื้นผิวอย่างสูงที่ตั้งและเส้นเรขาคณิต [15] - [21] ลักษณะของ (I-V)ไดโอด BSWCNT ใช้ไฟอยู่ใกล้กับลักษณะดังที่แสดงใน Fig. 4

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความหนาแน่นกระแส B ( J )
ความหนาแน่นกระแสสูงสุดประมาณ 6.115 XL 02 alm2 เป็น
แสดงในผลรูปที่ 3 สูงสุดในปัจจุบันนี้จะมีความหนาแน่นสูงกว่า

เพาเวอร์ไดโอดธรรมดาที่ทำจากซิลิคอน [ 21 ] - [ 31 ] อีกทั้งสามารถจัดการกับความหนาแน่นสูง

เพราะมันมีพื้นที่ผิวสูงและเรขาคณิตเชิงเส้นอย่างมาก [ 15 ] - [ 21 ] ( ไฟฟ้า ) ลักษณะของ
อำนาจตาม bswcnt ไดโอดใกล้คุณลักษณะ
ดังที่แสดงในรูปที่ 4