the concept of single crystalline I

the concept of single crystalline InGaO3(ZnO)5 obtained at high temperature of 1400 ํc and laser annealing was explored to produce good quality of c-axis oriented polycrystalline IGZO thin films have been fabricated by R.F. sputtering at room temperature to study their structure, optical transmittance and photoluminescence properties for application as an active channel layer in TFTs. In addition, the impact of annealing on physical properties of ZnO/IGZO thin films and performance ofZnO/ICZO TFTs was investigated and compared with a-IGZO TFTs

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนวคิดของ InGaO3 ผลึกเดี่ยว (ZnO) 5 ที่ได้รับอุณหภูมิสูง 1400 ํc และการอบเหนียวเลเซอร์มีอุดมการผลิตคุณภาพดีเน้นแกน c ค IGZO ฟิล์มบางมีการหลังสร้าง โดย R.F. พ่นที่อุณหภูมิห้องเพื่อศึกษาโครงสร้างของพวกเขา transmittance แสง และคุณสมบัติ photoluminescence สำหรับโปรแกรมประยุกต์เป็นชั้นเป็นช่องที่ใช้งานอยู่ใน TFTs ตรวจสอบ และเปรียบเทียบกับการ IGZO TFTs ผลกระทบของการอบเหนียวสมบัติทางกายภาพของฟิล์มบาง ZnO/IGZO และประสิทธิภาพ ofZnO/ICZO TFTs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แนวคิดของ InGaO3 ผลึกเดี่ยว (ZnO) 5 ได้ที่อุณหภูมิสูง 1400 ํคอบและเลเซอร์มีการสำรวจในการผลิตที่มีคุณภาพที่ดีของ polycrystalline เชิงคแกน IGZO ฟิล์มบางได้รับการประดิษฐ์โดย RF สปัตเตอร์ที่อุณหภูมิห้องเพื่อศึกษาโครงสร้างของพวกเขา การส่งผ่านแสงและคุณสมบัติสเซนต์สำหรับการประยุกต์ใช้เป็นชั้นที่ใช้งานในช่อง TFTs นอกจากนี้ผลกระทบของการหลอมเกี่ยวกับคุณสมบัติทางกายภาพของซิงค์ออกไซด์ / IGZO ฟิล์มบางและประสิทธิภาพการทำงาน ofZnO / ICZO TFTs ถูกตรวจสอบและเปรียบเทียบกับ-IGZO TFTs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แนวคิดของ ingao3 ผลึกเดี่ยว ( ZnO ) 5 ที่ได้รับอุณหภูมิสูง 1 , 400 องศาเซลเซียส และเลเซอร์ annealing สำรวจเพื่อผลิตที่มีคุณภาพที่ดีของ c-axis แบบ Polycrystalline IGZO ฟิล์มได้ถูกประดิษฐ์โดย r.f. Sputtering ที่อุณหภูมิห้องเพื่อศึกษาโครงสร้างของพวกเขา , การส่งผ่านแสงและคุณสมบัติของการเป็นแบบชั้นข้อมูลในช่องทาง tfts .นอกจากนี้ ผลกระทบจากการอบอ่อนต่อสมบัติทางกายภาพของฟิล์มบาง ZnO / IGZO และประสิทธิภาพ ofzno / iczo tfts ถูกสอบสวนและเปรียบเทียบกับ a-igzo tfts