Bismuth telluride (Bi2Te3) thermoel

Bismuth telluride (Bi2Te3) thermoelectric thin films were deposited on polyimide substrate by radio-frequency (RF) magnetron sputtering technique. The structural and thermoelectric properties of the films were investigated under the annealing temperatures. As-deposited films were annealed in the vacuum chamber with the N2 flow gases at three different temperatures of 300, 350, and 400°C for 1 hour. The crystal structures and microscopy of the films were characterized by X-ray diffraction (XRD) and Field Emission Scanning Electron Microscope(FE-SEM), respectively. Seebeck coefficient and electrical resistivity of the films were simultaneously measured at room temperature and up to 150 C by dc four-terminal method (ZEM- 3). It was found that the Seebeck coefficient and electrical resistivity decreased with increasing temperature. The film annealed at 400 C has a maximum PF value of 1.41 x 10-3 W/m.K2 at the applied temperature of 150 C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bismuth telluride (Bi2Te3) ฟิล์มบางแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ได้ฝากบนพื้นผิว polyimide โดยเทคนิคสปัตเตอร์ magnetron ความถี่วิทยุ (RF) คุณสมบัติโครงสร้าง และแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของภาพยนตร์ถูกสอบสวนภายใต้อุณหภูมิหลอม ฝากเป็นฟิล์มได้ annealed ในห้องสุญญากาศกับก๊าซไหล N2 ที่อุณหภูมิแตกต่างกันสาม ของ 300, 350, 400° C เวลา 1 ชั่วโมง โครงสร้างผลึกและ microscopy ของภาพยนตร์ถูกลักษณะ โดยการเอ็กซ์เรย์การเลี้ยวเบน (XRD) และปล่อยก๊าซฟิลด์สแกนอิเล็กตรอน Microscope(FE-SEM) ตามลำดับ Seebeck สัมประสิทธิ์และความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ถูกพร้อมวัดอุณหภูมิห้อง และ ถึง 150 C โดย dc เทอร์มินัล 4 วิธี (ZEM - 3) พบว่า สัมประสิทธิ์ Seebeck และความต้านทานไฟฟ้าลดลง ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิ ฟิล์ม annealed ที่ 400 C มีค่า PF สูง 1.41 x 10-3 W/m.K2 ที่ใช้อุณหภูมิ 150 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บิสมัทลลูไรด์ (Bi2Te3) ฟิล์มบางเทอร์โมถูกวางลงบนพื้นผิวโดย ธ เธเธฃคลื่นความถี่วิทยุ (RF) เทคนิคสปัตเตอร์แมก คุณสมบัติโครงสร้างและเทอร์โมของภาพยนตร์ที่ได้รับการตรวจสอบภายใต้อุณหภูมิอบอ่อน ในฐานะที่เป็นภาพยนตร์ฝากถูกอบในห้องสูญญากาศที่มีการไหลของก๊าซ N2 ที่สามอุณหภูมิที่แตกต่างกันของ 300, 350, และ 400 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง โครงสร้างผลึกและกล้องจุลทรรศน์ของภาพยนตร์ที่โดดเด่นด้วย X-ray diffraction (XRD) และสนามการปล่อยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (FE-SEM) ตามลำดับ ค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck และความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ที่ถูกวัดพร้อมกันที่อุณหภูมิห้องและได้ถึง 150 Cโดยวิธี dc สี่ขั้ว (ZEM- 3) การศึกษาพบว่าค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck และความต้านทานไฟฟ้าลดลงเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น ภาพยนตร์เรื่องนี้อบที่ 400 Cมีค่า PF สูงสุด 1.41 x 10-3 W / m.K2 ที่ใช้อุณหภูมิ 150 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บิสมัทเทลลูไรด์ ( bi2te3 ) ฟิล์มบางบนแผ่น Polyimide เทอร์โม ฝากเงินโดยความถี่วิทยุ ( RF ) แมกนีตรอนสปัตเตอริง ) โครงสร้างและคุณสมบัติของฟิล์ม คือ เทอร์โม ภายใต้อุณหภูมิอบ . เป็นฟิล์มที่ฝากอบในสูญญากาศที่มีก๊าซไนโตรเจนที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันของการไหลสาม 300 , 350 ,และ 400 องศา C เป็นเวลา 1 ชั่วโมง โครงสร้างผลึกและการใช้กล้องจุลทรรศน์ของภาพยนตร์มีลักษณะการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์และสนามจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( fe-sem ) ตามลำดับ และวัดค่าความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มพร้อมกันที่อุณหภูมิห้องและถึง 150  C โดยวิธีดีซีสี่เทอร์มินัล ( แซม - 3 )พบว่าแบบวัดความต้านทานไฟฟ้าลดลงเมื่อเพิ่มอุณหภูมิ ฟิล์ม อบที่ 400  C มีค่าสูงสุดของ PF มูลค่า 1.41 x 10-3 W / m.k2 ที่ใช้อุณหภูมิ 150  C