(c) 4 m thick photo resist spin-co

(c) 4 m thick photo resist spin-coating and photolithography by using mask of fixed plate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(c) 4 เมตรหนาภาพต่อต้านหมุนเคลือบและ photolithography โดยรูปแบบของแผ่นถาวร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ค) 4 เมตรหนาภาพต้านทานการหมุนเคลือบและ photolithography โดยใช้หน้ากากของแผ่นคงที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( c ) 4  ม. หนาเคลือบภาพต่อต้านการหมุนและ 43 โดยใช้หน้ากากหรือจาน