In comparisonwith the diffraction p

In comparisonwith the diffraction patterns fromthe ZnO seed films in Fig. 8 (a), the (002) diffraction peak at 34.65° is strongly enhanced in Fig. 8 (b), which is distinct from that of the ZnO substrate film (a).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน comparisonwith ขอเพิ่มรูปแบบการเลี้ยวเบนจากฟิล์มเมล็ด ZnO ใน Fig. 8 (ก) สูงสุดการเลี้ยวเบน (002) ที่ 34.65° Fig. 8 (b) ซึ่งจะแตกต่างจากของ ZnO พื้นผิวฟิล์ม (a)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใน comparisonwith รูปแบบการเลี้ยวเบน fromthe ภาพยนตร์เมล็ดซิงค์ออกไซด์ในรูป 8 (), (002) เลี้ยวเบนสูงสุดที่ 34.65 °จะเพิ่มขึ้นอย่างมากในรูป 8 (ข) ซึ่งจะแตกต่างจากที่ของพื้นผิวฟิล์มซิงค์ออกไซด์ (ก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการเปรียบเทียบรูปแบบการเลี้ยวเบนจากซิงค์ออกไซด์ฟิล์มในรูปเมล็ด 8 ( ) , ( 002 ) โดยสูงสุดที่ 34.65 / ขอเพิ่มรูปที่ 8 ( B ) , ซึ่งแตกต่างจากที่ของพื้นผิวฟิล์มซิงค์ออกไซด์ ( )