A CMOS inverter can be considered e

A CMOS inverter can be considered equivalent to a simplified
output driver shown in Fig. 1. Pin parasitics across the
chip ground and the system ground are represented by a
lumped inductor, a capacitor, and a resistor. The bypass
capacitor is connected between the chip power and ground.
The NMOS transistor turns on when the driver input changes
from low to high and the discharge current flows into the
chip ground node. If there is no bypass capacitor, the entire
discharge current flows into the inductor, generating more
ground bounce. But due to the presence of the bypass capacitor,
some part of the current flowing into the inductor is
driven into the bypass capacitor resulting in less current
throagh the ground inductor and hence less ground bounce.
As lieen from Fig. 2, the maximum ground bounce occurs
when the input voltage becomes VDD for both the cases, with
and without bypass capacitor. From Fig. 2 it can be observed
that when there is a bypass capacitor across the chip power
and ground, the gate to source voltage becomes closer to the
input voltage without ground bounce. Also, the output
vok3g-e falls more rapidly than without the bypass capacitor
case. Hence the use of an on-chip bypass capacitor also helps
to irnprove the speed of the circuit.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อินเวอร์เตอร์แบบ CMOS ถือได้ว่าเทียบเท่ากับความเรียบง่ายควบคุมผลผลิตที่แสดงใน Fig. 1 ตรึง parasitics ข้ามชิพื้นดินและพื้นดินระบบจะแสดงโดยการมือ lumped ตัวเก็บประจุตัว และตัวต้านทาน การเลี่ยงผ่านตัวเก็บประจุเชื่อมต่อระหว่างพลังชิและพื้นดินทรานซิสเตอร์ NMOS เปิดเมื่อเปลี่ยนแปลงการป้อนข้อมูลโปรแกรมควบคุมจากต่ำสูงและกระแสปัจจุบันปล่อยลงในชิพื้นโหน ถ้ามีตัวเก็บประจุไม่บายพาส ทั้งหมดถ่ายขั้นตอนปัจจุบันในมือ สร้างขึ้นพื้นเด้ง แต่เนื่อง จากสถานะของตัวเก็บประจุการบายพาสของไหลปัจจุบันเป็นมือที่มีขับเคลื่อนในตัวเก็บประจุบายพาสที่เกิดในปัจจุบันน้อยกว่าthroagh มือล่าง และจึง น้อยกว่าพื้นดินเด้งเป็น lieen จาก Fig. 2 ตีกลับพื้นดินสูงสุดเกิดขึ้นเมื่อแรงดันอินพุตจะ VDD ในทั้งสองกรณี มีและไม่ต้องข้ามตัวเก็บประจุ จาก Fig. 2 นั้นจะสังเกตได้จากซึ่งเมื่อมีตัวเก็บประจุแบบบายพาสข้ามพาวเวอร์ชิพและพื้นดิน ประตูเพื่อแรงดันต้นทางจะใกล้ชิดกับการแรงดันที่อินพุตโดยไม่ตีกลับพื้น ยัง ผลผลิตอี vok3g อยู่อย่างรวดเร็วมากขึ้นกว่าไม่มีตัวเก็บประจุบายพาสกรณี ดังนั้น การใช้ตัวเก็บประจุการบายพาสบนชิยังช่วยการ irnprove ความเร็วของวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นอินเวอร์เตอร์ CMOS สามารถถือว่าเทียบเท่ากับแบบที่แสดงในรูปที่ 1
ออกไดรเวอร์ . พิน parasitics ข้าม
ชิปพื้นดินและพื้นระบบจะแสดงโดย
กอเหนี่ยว , ตัวเก็บประจุ และตัวต้านทาน . เชื่อมต่อระหว่างตัวเก็บประจุบายพาส
ชิปพลังงานและพื้นดิน .
ทรานซิสเตอร์ nmos เปิดเมื่อควบคุมการป้อนข้อมูลการเปลี่ยนแปลง
จากสูงไปต่ำและกระแสกระแสไฟฟ้าเข้าสู่
ชิปดินโหนด ถ้าไม่มีพาส ตัวเก็บประจุทั้งหมด
กระแสไฟฟ้าไหลเข้าไปในการสร้างมากขึ้น
พื้นเด้ง แต่เนื่องจากการปรากฏตัวของทางอ้อม ตัวเก็บประจุ
บางส่วนของกระแสไหลลงเป็นทางบายพาส
ขับเคลื่อนในตัวเก็บประจุซึ่งปัจจุบันน้อยกว่า
throagh พื้นดินเหนี่ยวและด้วยเหตุนี้น้อยเด้งพื้น
เป็น lieen จากรูปที่ 2 เด้งพื้นสูงสุดเกิดขึ้น
เมื่อแรงดัน VDD มาเป็นทั้งสองกรณีด้วย
และไม่มีตัวเก็บประจุบายพาส . จากรูปที่ 2 จะสามารถสังเกต
เมื่อมีการผ่าตัดบายพาส ตัวเก็บประจุผ่านชิปพลังงาน
และพื้นดินประตูแหล่งจ่ายแรงดันกลายเป็นใกล้ชิดกับ
แรงดันโดยไม่เด้งพื้น นอกจากนี้ผลผลิต
vok3g-e ตกเร็วกว่า โดยผ่านตัวเก็บประจุ
กรณี จึงใช้เป็นตัวเก็บประจุบายพาสบนยังช่วย
เพื่อ irnprove ความเร็วของสัญญาณ