Fabrication of amorphous siliconege

Fabrication of amorphous siliconegermanium thin film solar cell
toward broadening long wavelength response
G.H. Wang a, *
, C.Y. Shi b
, L. Zhao a
, H.W. Diao a
, W.J. Wang a
a Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System of Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy
of Sciences, Beijing, 100190, China
b China Telecommunication Technology Labs, China Academy of Information and Communication Technology, Beijing, 100015, China
article info
Article history:
Received 3 September 2015
Received in revised form
21 October 2015
Accepted 25 October 2015
Available online 30 October 2015
Keywords:
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Amorphous silicon germanium solar cell
Long wavelength response
Optical emission spectroscopy
abstract
The morphous silicon germanium (a-SiGe) thin films are fabricated in a radio frequency plasma
enhanced chemical vapor deposition system. This paper summarizes our recent works on how to make a
suitable a-SiGe solar cell to enhance the light absorption in the long wavelength region. Up to now, a
single junction p-i-n a-SiGe solar cell with an initial efficiency of 9.06% is obtained. The long wavelength
response in QE is broadened to 950 nm. The QE reaches about 26.63% at 800 nm wavelength.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลิตของเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบาง siliconegermanium ไปต่อขยายการตอบสนองคลื่นยาวG.H. Wang a, *, B C.Y. Shi, L. Zhao เป็น, H.W. Diao, W.J. Wangห้องปฏิบัติการสำคัญของระบบเซลล์แสงอาทิตย์ของจีนสถาบัน สถาบันการศึกษาจีนวิทยา สถาบันวิศวกรรมไฟฟ้าและพลังงานความร้อนพลังงานแสงอาทิตย์ของวิทยาศาสตร์ ปักกิ่ง 100190 จีนห้องปฏิบัติการเทคโนโลยีโทรคมนาคมจีน b สถาบันข้อมูลจีน และ เทคโนโลยีการสื่อสาร ปักกิ่ง จีน 100015ข้อมูลบทความบทความประวัติ:ได้รับ 3 2558 กันยายนได้รับในแบบฟอร์มการปรับปรุง2558 ตุลาคมยอมรับ 25 2558 ตุลาคมออนไลน์มี 30 2558 ตุลาคมคำสำคัญ:ช่วยเพิ่มการสะสมไอสารเคมีเซลล์แสงอาทิตย์เจอร์เมเนียมซิลิคอนสัณฐานตอบความยาวคลื่นยาวมิกปล่อยแสงบทคัดย่อมีประดิษฐ์ฟิล์มซิลิ morphous บางของเจอร์เมเนียม (มี SiGe) ในพลาสมาความถี่วิทยุเพิ่มระบบการสะสมไอสารเคมี เอกสารนี้สรุปผลงานล่าสุดจากการทำการเหมาะสมมี SiGe เซลล์แสงอาทิตย์เพื่อเพิ่มการดูดซึมแสงในความยาวคลื่นยาว ถึงตอนนี้ การแยกเดี่ยว p-i-n มี SiGe เซลล์แสงอาทิตย์ มีประสิทธิภาพเริ่มต้น 9.06% ได้รับ ความยาวคลื่นยาวตอบสนองใน QE จะขยายถึง 950 นาโนเมตร QE ถึง 800 nm ความยาวคลื่นประมาณ 26.63%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง siliconegermanium มอร์ฟขยายการตอบสนองต่อความยาวคลื่นยาวg.h. วัง *c.y. ซือ B ,จ้าวเป็น Lเป็น เอช ดับยู เตียว ,w.j. วัง ,ปฏิบัติการหลักของพลังงานแสงอาทิตย์และระบบพลังงานแสงอาทิตย์ของจีน Academy of Sciences สถาบันวิศวกรรมไฟฟ้า เรียนภาษาจีนวิทยาศาสตร์ , ปักกิ่ง , 100190 , จีนประเทศจีนโทรคมนาคมเทคโนโลยี B Labs , จีน Academy ของเทคโนโลยีสารสนเทศและการสื่อสาร 100015 , ปักกิ่ง , จีนข้อมูลบทความบทความ : ประวัติได้รับ 3 กันยายน 2015รับแก้ไขแบบฟอร์ม21 ตุลาคม 2015รับ 25 ตุลาคม 2015ออนไลน์ 30 ตุลาคม 2015คำสำคัญ :พลาสมาเพิ่มสะสมไอเคมีเจอร์เมเนียมซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ Amorphousการตอบสนองความยาวคลื่นยาวรังสีแสงสเปกโทรสโกปีบทคัดย่อเจอร์เมเนียมซิลิคอน morphous ( a-sige ) ฟิล์มบางจะถูกประดิษฐ์ในวิทยุความถี่พลาสมาตกสะสมไอเชิงเคมีเสริมด้วยระบบ เอกสารนี้สรุป ผลงานล่าสุดของเราในวิธีการทำเซลล์แสงอาทิตย์ a-sige เหมาะสมเพื่อเพิ่มการดูดกลืนแสงในภูมิภาคความยาวคลื่นยาว จนถึงตอนนี้เดียวแยก p-i-n a-sige เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพเบื้องต้นของ 6 เปอร์เซ็นต์ ความยาวคลื่นยาวการตอบสนองใน QE เป็นวงกว้างถึง 950 นาโนเมตร มาถึงเรื่อง QE X% ที่ 800 nm ความยาวคลื่น