This paper analyses theoretically a

This paper analyses theoretically and experimentally the temperature dependence of
metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFET) with the aim of using them as a
temperature sensor in on-chip thermal testing applications. The proposed analysis provides rules for
the selection of the dimensions and the bias current of the MOSFET in order to have a high sensitivity
to on-chip thermal variations generated by the circuit under test (CUT). These theoretical predictions
are then contrasted with simulations and experimental data resulting from MOSFETs fabricated in a
commercial 0.35 m CMOS technology. Simulations and experimental results with MOSFETs are also
compared with those obtained using a parasitic bipolar junction transistor (BJT). Such a comparison
shows that MOSFET-based temperature sensors offer, in the context of on-chip thermal testing, the
following advantages: fully compatible with the fabrication process, less area required around the CUT,
and more sensitive to on-chip thermal variations caused by the CUT.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระดาษนี้วิเคราะห์ตามหลักวิชา และ experimentally อาศัยอุณหภูมิของ
transistors field-ผลต่อโลหะ – ออกไซด์ – สารกึ่งตัวนำ (มอสเฟต) มีจุดประสงค์เพื่อใช้เป็นแบบ
เซ็นเซอร์อุณหภูมิความร้อนบนชิปที่ทดสอบใช้งาน การวิเคราะห์ที่นำเสนอมีกฎระเบียบสำหรับ
หลากหลายมิติและปัจจุบันตั้งของมอสเฟตเพื่อให้มีความไวสูง
การบนชิรูปแบบความร้อนที่สร้างขึ้น โดยวงจรภายใต้การทดสอบ (ตัด) คาดการณ์เหล่านี้ทฤษฎี
แล้วจะต่างกับจำลองและทดลองการใช้ข้อมูลที่เกิดจาก MOSFETs หลังสร้างเป็น
เทคโนโลยี CMOS พาณิชย์ 0.35 m จำลองและทดลองผล MOSFETs
เมื่อเทียบกับผู้รับโดยใช้การเชื่อมเสียงฟู่เหมือนกาฝากไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ (ภูมิใจไทย) การเปรียบเทียบ
แสดงให้เซนเซอร์อุณหภูมิที่ใช้มอสเฟต ในบริบทของการบนชิพความร้อนทดสอบ
ต่อประโยชน์: อย่างเข้ากันได้กับกระบวนการผลิต น้อยกว่าพื้นที่ที่ต้องการรอบตัด,
และมีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงความร้อนที่เกิดจากการตัดบนชิป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้วิเคราะห์ทางทฤษฎีและการทดลองการพึ่งพาอาศัยอุณหภูมิของ
โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFET) โดยมีจุดประสงค์ของการใช้พวกเขาเป็น
เซ็นเซอร์อุณหภูมิในบนชิปโปรแกรมการทดสอบความร้อน การวิเคราะห์เสนอให้กฎสำหรับ
การเลือกขนาดและปัจจุบันอคติของ MOSFET เพื่อให้มีความไวสูง
ในการบนชิปรูปแบบความร้อนที่เกิดจากวงจรภายใต้การทดสอบ (ตัด) เหล่านี้การคาดการณ์ทางทฤษฎี
จะเปรียบเทียบแล้วกับแบบจำลองและข้อมูลการทดลองที่เกิดจาก MOSFETs ประดิษฐ์ใน
เชิงพาณิชย์ 0.35 ม. เทคโนโลยี CMOS จำลองและผลการทดลองด้วย MOSFETs นอกจากนี้ยังมี
เมื่อเทียบกับผู้ที่ได้รับการใช้ปรสิตแยกขั้วทรานซิสเตอร์ (BJT) เช่นการเปรียบเทียบ
แสดงให้เห็นว่ามอสเฟตที่ใช้เซ็นเซอร์อุณหภูมิให้อยู่ในบริบทของการทดสอบความร้อนบนชิป,
ข้อได้เปรียบดังต่อไปนี้อย่างเข้ากันได้กับกระบวนการผลิตในพื้นที่น้อยต้องรอบ CUT,
และอื่น ๆ ที่มีความสำคัญที่จะบนชิปรูปแบบความร้อนที่เกิดจากการ โดย CUT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้วิเคราะห์ทฤษฎีและการทดลองที่ขึ้นกับอุณหภูมิของโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ
––จึงละมั่งผลทรานซิสเตอร์ ( MOSFET ) กับจุดมุ่งหมายของการใช้พวกเขาเป็น
เซ็นเซอร์อุณหภูมิในการทดสอบบนความร้อนประยุกต์ การนำเสนอการวิเคราะห์มีกฎสำหรับ
เลือกขนาด และค่าปัจจุบันของมอสเฟต เพื่อ
ความไวสูงเพื่อบนการเปลี่ยนแปลงความร้อนที่สร้างขึ้นโดยวงจรภายใต้การทดสอบ ( ตัด ) ทฤษฎีคาดคะเน
เหล่านี้แล้วเปรียบเทียบกับการจำลองและการทดลองที่เกิดจากการสอดขึ้นมาใน
พาณิชย์ 0.35 M CMOS เทคโนโลยี การจำลองและการทดลองกับสอดยัง
เมื่อเปรียบเทียบกับผู้ที่ได้ใช้ ทรานซิสเตอร์ Bipolar Junction ปรสิต ( BJT ) เช่นการเปรียบเทียบ
พบว่าอุณหภูมิที่ใช้ MOSFET เซ็นเซอร์ให้ ในบริบทของบนความร้อนการทดสอบ
ข้อดีดังต่อไปนี้ : เข้ากันได้อย่างเต็มที่กับกระบวนการผลิตน้อย พื้นที่ใช้รอบตัด
ไวต่อความร้อนและการเปลี่ยนแปลงบนที่เกิดจากการตัด