We report on the effects of dopant

We report on the effects of dopant concentration on the structural and electrical properties of In-implanted Ge. For In concentrations of ≤ 0.2 at. %, extended x-ray absorption fine structure and x-ray absorption near-edge structure measurements demonstrate that all In atoms occupy a substitutional lattice site while metallic In precipitates are apparent in transmission electron micrographs for In concentrations ≥0.6 at. %. Evidence of the formation of In-vacancy complexes deduced from extended x-ray absorption fine structure measurements is complimented by density functional theory simulations. Hall effect measurements of the conductivity, carrier density, and carrier mobility are then correlated with the substitutional In fraction

Structural and electrical properties of In-implanted Ge
High temperature and current density induced degradation of multi-layer graphene
White organic light-emitting diodes with 4 nm metal electrode
Thin film lubrication of hexadecane confined by iron and iron oxide surfaces: A crucial role of surface structure

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานเกี่ยวกับผลกระทบของความเข้มข้น dopant สมบัติโครงสร้าง และไฟฟ้าของ implanted ใน Ge สำหรับในความเข้มข้นของ≤ 0.2 ที่ %, เอกซเรย์ขยายดูดซึมปรับโครงสร้างและการเอ็กซ์เรย์การดูดซึมใกล้ขอบโครงสร้างวัดแสดงว่า ในอะตอมครอบครองโครงตาข่ายประกอบ substitutional ไซต์ในขณะที่โลหะใน precipitates ชัดเจนในการส่งผ่านอิเล็กตรอน micrographs สำหรับใน ≥0.6 ความเข้มข้นที่ %. หลักฐานของการก่อตัวของสิ่งอำนวยความสะดวกในตำแหน่งว่างที่ deduced จากการเอ็กซ์เรย์ขยายดูดซึมปรับโครงสร้างวัดแห่งนี้จำลองทฤษฎีฟังก์ชันความหนาแน่น วัดผลฮอลล์นำ ความหนาแน่นของผู้ขนส่ง การขนส่งเคลื่อนแล้ว correlated กับ substitutional ในเศษส่วนคุณสมบัติโครงสร้าง และไฟฟ้าของ implanted ใน Geอุณหภูมิสูงและความหนาแน่นของกระแสที่เกิดจากการสลายตัวของ graphene หลายชั้นสีขาวอินทรีย์แสง–เปล่ง diodes กับ 4 nm โลหะอิเล็กโทรด บางฟิล์มหล่อลื่นของ hexadecane ขัง โดยพื้นผิวเหล็กและเหล็กออกไซด์: บทบาทความสำคัญของโครงสร้างผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานเกี่ยวกับผลกระทบของความเข้มข้นของสารเจือปนในโครงสร้างและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของการปลูกฝังในจีอี สำหรับความเข้มข้นในการ≤ 0.2 ที่ % การดูดซึมขยายเอ็กซ์เรย์ปรับโครงสร้างและการดูดซึมเอ็กซ์เรย์ที่อยู่ใกล้ขอบวัดแสดงให้เห็นว่าทุกโครงสร้างอะตอมในครอบครองเว็บไซต์ตาข่ายทดแทนในขณะที่โลหะในตะกอนมีความชัดเจนในการส่งผ่านอิเล็กตรอนไมโครความเข้มข้นใน≥0.6ที่ % หลักฐานของการก่อตัวของคอมเพล็กซ์ในตำแหน่งที่ว่างจากการดูดซึมอนุมานได้ขยายการเอ็กซ์เรย์วัดปรับโครงสร้างเป็น complimented โดยความหนาแน่นของการจำลองทฤษฎีการทำงาน วัดผลฮอลล์ของการนำความหนาแน่นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนย้ายผู้ให้บริการมีความสัมพันธ์แล้วกับทดแทนในส่วนคุณสมบัติโครงสร้างและการไฟฟ้าในการปลูกฝัง Ge อุณหภูมิสูงและความหนาแน่นกระแสการย่อยสลายการเหนี่ยวนำของหลายชั้น graphene สีขาวไดโอดเปล่งแสงอินทรีย์ 4 อิเล็กโทรดโลหะนาโนเมตรหล่อลื่นฟิล์มบางของhexadecane ถูกคุมขังโดยพื้นผิวเหล็กและเหล็กออกไซด์: เป็นบทบาทสำคัญของโครงสร้างพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานเกี่ยวกับผลของความเข้มข้นของโดพันท์ในโครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้าของใส่ GE สำหรับในส่วน≤ 0.2 ที่   %การดูดกลืนรังสีเอ็กซ์และขยายโครงสร้างโครงสร้างการวัดการดูดกลืนรังสีเอกซ์ใกล้ขอบแสดงให้เห็นว่าทั้งหมดในอะตอมครอบครองเว็บไซต์ขัดแตะเป็นตัวแทนในขณะที่โลหะในตะกอนที่เกิดขึ้นจะปรากฏในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน micrographs ในความเข้มข้น≥ 0.6 ที่   %หลักฐานของการเกิดสารประกอบเชิงซ้อนในตำแหน่งว่าง deduced จากการวัดการดูดกลืนรังสีเอ็กซ์ปรับขยายโครงสร้างเป็น complimented โดยทฤษฎีการทำงานความหนาแน่นจำลอง . ผลการตรวจวัดค่าหอของความหนาแน่นพาหะ และรถขนส่งนั้นมีความสัมพันธ์กับการเป็นตัวแทนในส่วน

โครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้าของใส่ GE
อุณหภูมิสูงและความหนาแน่นกระแสกระตุ้นการสลายตัวของชั้น graphene
ขาวอินทรีย์ไดโอดเปล่งแสงที่มี 4 ขั้วไฟฟ้าฟิล์มบาง 
nm โลหะหล่อลื่นของเฮกซะเดกเคนคับ ด้วยเหล็กและพื้นผิวเหล็กออกไซด์ : บทบาทสำคัญของ
โครงสร้างพื้นผิว