We have seen that accurate capacita

We have seen that accurate capacitance measurements can be made at audio frequencies
(generally at 1 kHz) using a variety of bridge circuits, described in Section 5.5.1. It is often
important to characterize capacitors at radio frequencies and at ultra-low frequencies, the
latter range being important in the characterization of capacitor dielectrics and dielectrics
used as electrical insulation. There are also voltage-variable capacitances associated with
semiconductor pn junctions, which are important to measure. These include the capacitance
of varactor diodes (reverse-biased pn junction diodes); the gate–source capacitance
(Cgs); gate–drain capacitance (Cgd); drain–source capacitance (Cds), Ciss, and Crss of FETs; and
the Cπ and Cμ of BJTs. We will describe in the following some of the nonbridge means to
measure capacitors and to characterize their equivalent circuits.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้เห็นว่า สามารถทำการประเมินความถูกต้องที่ความถี่เสียง(โดยทั่วไปที่ 1 kHz) โดยใช้ความหลากหลายของวงจรบริดจ์ อธิบายไว้ในส่วน 5.5.1 ก็มักจะเป็นความสำคัญลักษณะของตัวเก็บประจุ ที่ความถี่วิทยุ และความ ถี่ต่ำพิเศษ การช่วงหลังที่มีความสำคัญในคุณสมบัติของตัวเก็บประจุ dielectrics และ dielectricsใช้เป็นฉนวนไฟฟ้า นอกจากนี้ยังมี capacitances ตัวแปรแรงดันที่เกี่ยวข้องกับสารกึ่งตัวนำ pn junctions ซึ่งมีความสำคัญในการวัด รวมถึงความของใน varactor diodes (pn ลำเอียงกลับเชื่อมต่อไดโอดได้); ความเก – แหล่ง(Cgs); ประตูท่อระบายน้ำค่าความจุ (Cgd); ท่อระบายน้ำแหล่งความ (ซีดี), Ciss และ Crss FETs และCπ และ Cμ ของ BJTs เราจะอธิบายต่อไปนี้ของ nonbridge ที่หมายถึงวัดตัวเก็บประจุ และลักษณะของวงจรเทียบเท่าของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้เห็นว่าการวัดความจุที่ถูกต้องสามารถทำที่ความถี่เสียง
(โดยทั่วไปวันที่ 1 kHz) โดยใช้ความหลากหลายของวงจรสะพานที่อธิบายไว้ในมาตรา 5.5.1 มันมักจะเป็นสิ่งสำคัญที่จะแสดงลักษณะของตัวเก็บประจุที่มีความถี่และวิทยุที่มีความถี่ต่ำพิเศษที่ช่วงหลังเป็นสำคัญในลักษณะของตัวเก็บประจุและdielectrics dielectrics ใช้เป็นฉนวนไฟฟ้า นอกจากนี้ยังมีประจุแรงดันไฟฟ้าตัวแปรที่เกี่ยวข้องกับทางแยกพีเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความสำคัญในการวัด เหล่านี้รวมถึงความจุของไดโอด varactor (PN กลับลำเอียงไดโอดทางแยก); ความจุประตูแหล่งที่มา(Cgs); ความจุประตูท่อระบายน้ำ (CGD); แหล่งที่มาระบายความจุ (ซีดี) Ciss และ Crss ของ FETs; และCπและCμของ BJTs เราจะอธิบายในต่อไปนี้บางส่วนของ nonbridge หมายถึงการวัดตัวเก็บประจุและลักษณะของวงจรเทียบเท่าของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้เห็นแล้วว่า การวัดความจุที่ถูกต้องสามารถให้ความถี่เสียง
( โดยทั่วไปที่ 1 kHz ) โดยใช้ความหลากหลายของวงจรบริดจ์ที่อธิบายไว้ในส่วน 5.5.1 . มันมักจะเป็นลักษณะที่สำคัญ
/ วิทยุความถี่และความถี่ต่ํา ,
ช่วงหลังถูกสำคัญในคุณสมบัติของตัวเก็บประจุและไดได
ใช้เป็นฉนวนไฟฟ้านอกจากนี้ยังมีตัวแปรที่เกี่ยวข้องกับแรงดัน capacitances
ทางแยก PN เซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งเป็นสิ่งสําคัญเพื่อวัด เหล่านี้รวมถึงวาแรกเตอร์ไดโอดของมอส
( ลําเอียงกลับ PN Junction ไดโอด ) ; ประตู–แหล่งความจุ
( CGS ) ; ประตู–ระบาย capacitance ( CGD ) ระบาย–ความจุแหล่ง ( ซีดี ) , CISS และ crss ของ fets ;
c πและ C μของ bjts .เราจะอธิบายในต่อไปนี้บางส่วนของ nonbridge หมายถึง
วัดตัวเก็บประจุและลักษณะวงจรสมมูลของพวกเขา