The 0.85Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3–

The 0.85Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3–0.15BaTiO3 and 0.85Bi0.95Dy0.05FeO3–0.15BaTiO3 multiferroic composites were prepared by a solid state reaction method. The XRD patterns of the composites confirmed the
presence of BiFeO3 and BaTiO3. The ME coupling of the composites shows conspicuous enhancement
compared to that of undoped BiFeO3. Among the composites, Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3–BaTiO3 composite shows multiferroic properties better than that of Bi0.95Dy0.05FeO3–BaTiO3 composite. The results are
attractive for the applications in memory devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คอมโพสิต multiferroic 0.85Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3-0.15BaTiO3 และ 0.85Bi0.95Dy0.05FeO3-0.15BaTiO3 ถูกเตรียม โดยวิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็ง รูปแบบ XRD ของคอมโพสิตที่ได้รับการยืนยันการสถานะของ BaTiO3 และ BiFeO3 ME คลัปของคอมโพสิตการแสดงปรับเป้าเปรียบเทียบกับ undoped BiFeO3 ระหว่างคอมโพสิต คอมโพสิต Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3 – BaTiO3 แสดงคุณสมบัติ multiferroic ดีกว่าของ Bi0.95Dy0.05FeO3 – BaTiO3 คอมโพสิต ผลลัพธ์ได้น่าสนใจสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์หน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

0.85Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3-0.15BaTiO3 และ 0.85Bi0.95Dy0.05FeO3-0.15BaTiO3 คอมโพสิต multiferroic ถูกจัดทำขึ้นโดยวิธีปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคง รูปแบบ XRD
ของคอมโพสิตยืนยันการปรากฏตัวของBiFeO3 และ BaTiO3 การมีเพศสัมพันธ์ ME
ของวัสดุผสมที่แสดงให้เห็นการเพิ่มประสิทธิภาพที่เห็นได้ชัดเจนเมื่อเทียบกับโคบอลต์BiFeO3 ท่ามกลางคอมโพสิต, คอมโพสิต Bi0.95Dy0.05Fe0.98Cu0.02O3-BaTiO3 แสดงให้เห็นถึงคุณสมบัติ multiferroic ดีกว่าที่ของ Bi0.95Dy0.05FeO3-BaTiO3 คอมโพสิต
ผลเป็นที่น่าสนใจสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์หน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ 0.85bi0.95dy0.05fe0.98cu0.02o3 – 0.15batio3 0.85bi0.95dy0.05feo3 –และ 0.15batio3 multiferroic คอมที่เตรียมโดยวิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็ง . การวิเคราะห์รูปแบบของคอมโพสิตและการแสดงตนของ bifeo3 ยืนยัน
batio3 . ฉันในการเชื่อมต่อของคอมแสดงเด่นเสริม
เมื่อเทียบกับที่ของเคมีไฟฟ้า bifeo3 . ของคอมโพสิต bi0.95dy0.05fe0.98cu0 .02o3 – batio3 ประกอบแสดงคุณสมบัติ multiferroic ดีกว่าของ bi0.95dy0.05feo3 – batio3 คอมโพสิต ผลลัพธ์
มีเสน่ห์เพื่อประโยชน์ในอุปกรณ์หน่วยความจำ