Using laser direct writing in combi

Using laser direct writing in combination with chemical vapor
deposition to produce nanometer scale electronics holds several advantages
over current large scale photolithography methods. These include
single step electrical interconnect deposition, mask-less patterning, and
parallel processing. When taken together they make quick production
of individualized electronic circuits possible. This work demonstrates the
ability of combining laser direct write and chemical vapor deposition to produce
silicon wires a few hundred nanometers wide. Optimized parameters
will be discussed, with a particular emphasis paid to the laser-material
interactions. The feasibility for electronic applications will be shown by
examining the deposition formation on a silicon dioxide surface without
degrading the surface’s integrity, and by evaluating the resistivity of the
deposited silicon wires.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การใช้เลเซอร์โดยตรงเขียนร่วมกับไอสารเคมีสะสมการผลิตอิเล็กทรอนิกส์ขนาด nanometer มีข้อดีหลายประการกว่าวิธี photolithography ขนาดใหญ่ปัจจุบัน เหล่านี้รวมถึงสะสม น้อยหน้ากากเชื่อมไฟฟ้าขั้นตอนเดียว patterning และการประมวลผลแบบขนาน เมื่อนำมารวมกัน จะทำให้ผลิตอย่างรวดเร็วจำนวนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ได้นั้น งานนี้แสดงให้เห็นถึงการความสามารถในการรวมเลเซอร์เขียนโดยตรงและการสะสมไอสารเคมีซิลิคอนสายกว้างร้อยกี่ nanometers พารามิเตอร์ให้เหมาะจะหารือเรื่อง โดยเน้นเฉพาะที่จ่ายให้วัสดุเลเซอร์โต้ตอบ จะแสดงความเป็นไปได้สำหรับโปรแกรมประยุกต์อิเล็กทรอนิกส์ตรวจสอบการก่อตัวสะสมบนพื้นผิวซิลิคอนไดออกไซด์โดยลดความสมบูรณ์ของพื้นผิว และโดยประเมินความต้านทานของการฝากสายซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การใช้เลเซอร์เขียนโดยตรงร่วมกับไอสารเคมีให้การของพยานในการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโนเมตรถือเป็นข้อดีหลายกว่าวิธีการphotolithography ขนาดใหญ่ในปัจจุบัน เหล่านี้รวมถึงขั้นตอนเดียวปลดออกจากการเชื่อมต่อไฟฟ้าแบบหน้ากากน้อยลงและประมวลผลแบบขนาน เมื่อนำมารวมกันที่พวกเขาทำให้การผลิตที่รวดเร็วของวงจรอิเล็กทรอนิกส์รายบุคคลที่เป็นไปได้ แสดงให้เห็นถึงผลงานชิ้นนี้ความสามารถในการรวมเลเซอร์โดยตรงในการเขียนและการสะสมไอสารเคมีในการผลิตสายซิลิกอนไม่กี่ร้อยนาโนเมตรกว้าง พารามิเตอร์ที่ดีที่สุดจะมีการหารือที่มีความสำคัญโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่จ่ายให้กับเลเซอร์วัสดุปฏิสัมพันธ์ ความเป็นไปได้สำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์จะถูกแสดงโดยการตรวจสอบการก่อตัวสะสมบนพื้นผิวซิลิคอนไดออกไซด์โดยไม่ต้องย่อยสลายสมบูรณ์ของพื้นผิวและโดยการประเมินความต้านทานของสายซิลิกอนฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้เลเซอร์เขียนโดยตรงในการสะสมไอเคมีในการผลิตระดับนาโนเมตรอิเล็กทรอนิกส์

มีข้อดีหลายกว่าปัจจุบันขนาดใหญ่ 43 วิธี เหล่านี้รวมถึง
ขั้นตอนเดียว ( การไฟฟ้า หน้ากากไม่เลียนแบบและ
การประมวลผลแบบขนาน เมื่อถ่ายด้วยกันจะทำให้วงจรอิเล็กทรอนิกส์รายบุคคล
ผลิตด่วนที่สุดงานนี้แสดงให้เห็นถึงความสามารถของเลเซอร์โดยรวม
เขียนและตกสะสมไอเชิงเคมีผลิต
สายซิลิโคนไม่กี่ร้อยนาโนเมตรกว้าง ปรับพารามิเตอร์
จะกล่าวถึงด้วยโดยเฉพาะการเน้นจ่ายให้เลเซอร์วัสดุ
การโต้ตอบ ความเป็นไปได้ในการประยุกต์ใช้อิเล็กทรอนิกส์จะถูกแสดง โดยการสะสมก่อตัวบน

ผิวปราศจากซิลิคอนไดออกไซด์ซึ่งความสมบูรณ์ของพื้นผิว และการประเมินความต้านทานของ
ฝากสายซิลิคอน