The integrated blocking capacitor a

The integrated blocking capacitor and the diodes in the
rectifier could fail as well, but in the chosen silicon-oninsulator
(SOI) technology, their mean-time-between-failure
(MTBF) is larger than that of transistors. Transistors are 3-
terminal devices (bulk is connected to source in SOI) whereas
capacitors and diodes are 2-terminal devices with both
terminals fully insulated from the substrate by the thick buried
oxide layer. In addition, the gate-source voltage of transistors
is limited to a low level because of the thin gate oxide layer,
whereas the dielectrics between capacitor plates are more than
0.5μm thick. As a result, integrated capacitors and diodes can
tolerate higher voltages than transistors. Table II summarizes
key data for these devices in the chosen technology.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวเก็บประจุที่บล็อกรวมและไดโอดได้ในการวงจรเรียงกระแสอาจไม่เหมือนกัน แต่ท่านซิลิ oninsulatorเทคโนโลยี (ซอย) ของพวกเขาหมายความว่าเวลาระหว่างความผิด(MTBF) มีขนาดใหญ่กว่าของ transistors มี transistors 3-อุปกรณ์ที่เทอร์มินัล (จำนวนมากเชื่อมต่อกับแหล่งในซอย) ในขณะที่ตัวเก็บประจุและไดโอดได้เป็นเทอร์มินัล 2 อุปกรณ์พร้อมทั้งฝังหุ้มจากพื้นผิวเต็ม ด้วยหนาเทอร์มินัลชั้นของออกไซด์ นอกจากนี้ แรงดันไฟฟ้าประตูต้นทางของ transistorsจำกัดอยู่ในระดับต่ำจะ มีชั้นออกไซด์บาง ๆ เกขณะ dielectrics ระหว่างแผ่นของตัวเก็บประจุได้มากกว่า0.5μm หนา เป็นผลให้ ตัวเก็บประจุรวมและไดโอดได้สามารถทนแรงดันสูงกว่า transistors สรุปตาราง IIข้อมูลสำคัญสำหรับอุปกรณ์เหล่านี้ในเทคโนโลยีท่าน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การปิดกั้นตัวเก็บประจุแบบบูรณาการและไดโอดในวงจรเรียงกระแสอาจล้มเหลวเช่นกัน แต่ได้รับการแต่งตั้งในซิลิคอน oninsulator (ซอย) เทคโนโลยีหมายถึงเวลาระหว่างความล้มเหลวของพวกเขา(MTBF) ที่มีขนาดใหญ่กว่าของทรานซิสเตอร์ ทรานซิสเตอร์มี 3 อุปกรณ์ปลายทาง (กลุ่มที่เชื่อมต่อกับแหล่งที่มาในซอย) ในขณะที่ตัวเก็บประจุไดโอดและเป็นอุปกรณ์2 ขั้วทั้งสองขั้วฉนวนอย่างเต็มที่จากพื้นผิวโดยหนาฝังชั้นออกไซด์ นอกจากนี้แรงดันประตูแหล่งที่มาของทรานซิสเตอร์จะถูก จำกัด ให้อยู่ในระดับต่ำเนื่องจากประตูชั้นออกไซด์บางขณะที่dielectrics ระหว่างแผ่นเปลือกโลกตัวเก็บประจุที่มีมากกว่า0.5μmหนา เป็นผลให้ตัวเก็บประจุไดโอดบูรณาการและสามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าทรานซิสเตอร์ ตารางที่ II สรุปข้อมูลสำคัญสำหรับอุปกรณ์เหล่านี้ในด้านเทคโนโลยีได้รับการแต่งตั้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รวมบล็อกและตัวเก็บประจุ ไดโอดใน
วงจรเรียงกระแสอาจล้มเหลวเช่นกัน แต่ในการเลือก ซิลิ oninsulator
( ซอย ) เทคโนโลยีของพวกเขา , เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว ( MTBF )
มีขนาดใหญ่กว่าของทรานซิสเตอร์ ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์ขนาดใหญ่ ( 3 -
สถานีเชื่อมต่อกับแหล่งในซอย ) ในขณะที่ capacitors และไดโอด เป็นอุปกรณ์ 2-terminal

กับทั้งขั้วหุ้มฉนวนจากพื้นผิวโดยหนาฝัง
ไซด์ชั้น นอกจากนี้ แหล่งข่าวแรงดันหลักของทรานซิสเตอร์
จำกัดอยู่ในระดับต่ำเพราะบางเกต ออกไซด์ชั้น
ส่วนไดระหว่างตัวเก็บประจุแผ่นมากกว่า
μ 0.5 เมตรหนา ผลคือ ตัวเก็บประจุแบบบูรณาการ และสามารถทนแรงดันสูงกว่า
ไดโอด ทรานซิสเตอร์ ตารางที่ 2 สรุป
ข้อมูลที่สำคัญสำหรับอุปกรณ์เหล่านี้ในเทคโนโลยีที่เลือก