The X-ray diffractometric Ω-Scan me

The X-ray diffractometric Ω-Scan method needs only one measuring circle to determine the lattice geometry of single crystals. From the angular positions of at least two reflection pairs the orientation in a certain range can be precisely determined. For cubic crystals the lattice parameter related to a reference crystal can be calculated additionally. The method is applied to the adjustment of crystal ingots for the succeeding processing and to the characterization of wafers. By means of an x–y table the distribution of the structural parameters over the wafer surface can be mapped with a lateral resolution of about 1 mm. In a Si1−xGex sample, characteristic concentric distributions have been found with orientation changes up to 3 arc minutes and lattice-parameter differences up to 2.8 × 10−5 nm, corresponding to differences of the Ge content up to 1.4 at%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีการสแกนΩ diffractometric เอ็กซเรย์ต้องวงกลมวัดเดียวเท่านั้นเพื่อกำหนดรูปทรงเรขาคณิตตาข่ายของผลึกเดี่ยว จากตำแหน่งเชิงมุมของคู่สะท้อนน้อยสอง ทิศทางในช่วงสามารถแม่นยำกำหนด สำหรับลูกบาศก์ผลึกตาข่ายพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องกับการอ้างอิง คริสตัลสามารถคำนวณได้นอกจากนี้ วิธีการใช้ เพื่อการปรับปรุงของคริสตัลหลอมสำหรับการประมวลผลประสบความสำเร็จ และจำแนกลักษณะของเวเฟอร์ โดยการ x – y ตาราง การกระจายของพารามิเตอร์โครงสร้างบนพื้นผิวแผ่นสามารถแม็ป มีความละเอียดด้านข้างประมาณ 1 มม. ใน Si1−xGex เป็นตัวอย่าง ลักษณะศูนย์กลางการกระจายพบกับแนวเปลี่ยนถึง 3 นาทีส่วนโค้งและตาข่ายพารามิเตอร์แตกต่างขึ้นเป็น 2.8 × 10−5 nm ที่สอดคล้องกับความแตกต่างของ Ge เนื้อหาถึง 1.4%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีΩ-Scan X-ray diffractometric ต้องการเพียงหนึ่งวงกลมวัดในการกำหนดรูปทรงเรขาคณิตตาข่ายของผลึกเดี่ยว จากตำแหน่งเชิงมุมของอย่างน้อยสองคู่สะท้อนการวางแนวทางในบางช่วงสามารถกำหนดได้อย่างแม่นยำ สำหรับลูกบาศก์ผลึกตาข่ายพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องกับคริสตัลอ้างอิงสามารถคำนวณได้นอกจากนี้ วิธีการที่จะนำไปใช้กับการปรับตัวของแท่งคริสตัลสำหรับการประมวลผลที่ประสบความสำเร็จและลักษณะของเวเฟอร์ โดยวิธีการของตาราง X-Y กระจายของพารามิเตอร์โครงสร้างพื้นผิวเวเฟอร์สามารถแมปที่มีความละเอียดข้างของประมาณ 1 มม ในตัวอย่าง Si1-xGex กระจายศูนย์กลางลักษณะได้รับพบว่ามีการวางแนวทางการเปลี่ยนแปลงถึง 3 ลิปดาและความแตกต่างขัดแตะพารามิเตอร์ถึง 2.8 × 10-5 นาโนเมตรที่สอดคล้องกับความแตกต่างของเนื้อหา Ge ถึง 1.4% ใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสีเอกซ์ diffractometric Ω - สแกนความต้องการเพียงวิธีการวัดวงกลมเพื่อตรวจสอบตารางเรขาคณิตของผลึกเดี่ยว จากตำแหน่งเชิงมุมของอย่างน้อยสองสะท้อนคู่วางในบางช่วงที่สามารถแน่นอนแน่วแน่ สำหรับผลึกลูกบาศก์ตาข่ายพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องกับการอ้างอิงคริสตัลสามารถคำนวณเพิ่มเติม วิธีการที่ใช้เพื่อปรับแท่งคริสตัลสำหรับการประสบความสำเร็จและการประมวลผลเพื่อศึกษาสมบัติของเวเฟอร์ โดยใช้ตาราง x ( Y กระจายของตัวแปรโครงสร้างบนพื้นผิวเวเฟอร์สามารถแมปกับความละเอียดด้านข้างประมาณ 1 มิลลิเมตร ใน si1 − xgex ตัวอย่าง ลักษณะแบบกระจายได้พบการเปลี่ยนแปลงถึง 3 นาทีและแลตทิซพารามิเตอร์อาร์คความแตกต่างถึง 2.8 × 10 − 5 nm ซึ่งสอดคล้องกับความแตกต่างของ GE เนื้อหาถึง 1.4 ที่ %