A simplified bipolar energy-transpo

A simplified bipolar energy-transport model for a metal-oxide-semiconductor diode (MOS) with nonconstant lattice temperature is considered. The electron and hole current densities vanish in the diode but the particle temperature may be large. The existence of weak solutions to the system of quasilinear elliptic equations with nonlinear boundary conditions is proved using a Stampacchia trunction technique and maximum principle arguments. Further, an asymptotic analysis for the one-dimensional MOS diode is presented, which shows that only the boundary temperature influences the capacitance–voltage characteristics of the device. The analytical results are underlined by numerical experiments.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ถือว่าเป็นแบบไฟที่ไบโพลาร์ง่ายขนพลังงานสำหรับเป็นโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำไดโอด (MOS) กับอุณหภูมิโครงตาข่ายประกอบ nonconstant อิเล็กตรอนและหลุมปัจจุบันแน่นกลีบในไดโอด แต่อุณหภูมิอนุภาคอาจมีขนาดใหญ่ มีวิธีแก้ไขปัญหาระบบของสมการ elliptic quasilinear มีเงื่อนไขขอบเขตที่ไม่เชิงเส้นอ่อนเป็นเครื่องพิสูจน์โดยใช้เทคนิค trunction Stampacchia และอาร์กิวเมนต์หลักสูงสุด เพิ่มเติม การวิเคราะห์ asymptotic สำหรับไดโอด MOS one-dimensional นำเสนอ แสดงว่า เฉพาะขอบเขตอุณหภูมิมีผลต่อลักษณะความแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์ ผลการวิเคราะห์มีการขีดเส้นใต้ โดยทดลองเป็นตัวเลข

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สองขั้วที่เรียบง่ายรูปแบบพลังงานการขนส่งสำหรับไดโอดโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (MOS) ที่มีอุณหภูมิตาข่าย nonconstant ถือว่าเป็น อิเล็กตรอนและหลุมหนาแน่นปัจจุบันหายไปในไดโอด แต่อุณหภูมิอนุภาคอาจมีขนาดใหญ่ การดำรงอยู่ของการแก้ปัญหาที่อ่อนแอในระบบของสมรูปไข่ quasilinear กับเงื่อนไขขอบเขตเชิงเส้นมีการพิสูจน์โดยใช้เทคนิค trunction Stampacchia และข้อโต้แย้งหลักการสูงสุด นอกจากนี้การวิเคราะห์ asymptotic สำหรับไดโอด MOS หนึ่งมิติจะนำเสนอซึ่งแสดงให้เห็นว่ามีเพียงขอบเขตอุณหภูมิที่มีอิทธิพลต่อลักษณะแรงดันความจุของอุปกรณ์ ผลการวิเคราะห์ที่มีการขีดเส้นใต้โดยการทดลองที่เป็นตัวเลข

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แบบการขนส่งพลังงานสองรูปแบบโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำไดโอด ( MOS ) กับอุณหภูมิ nonconstant ขัดแตะ ถือว่า อิเล็กตรอนความหนาแน่นกระแสและหลุมหายไปในไดโอด แต่อนุภาคอุณหภูมิอาจจะขนาดใหญ่การดำรงอยู่ของโซลูชั่นที่อ่อนแอในระบบของสมการไม่เชิงเส้นเงื่อนไขขอบรูปด้วย quasilinear พิสูจน์โดยใช้ stampacchia trunction เทคนิคและข้อคิดหลักการสูงสุด เพิ่มเติม การวิเคราะห์มิติแหล่งสำหรับมอสไดโอดที่นำเสนอ ซึ่งพบว่ามีขอบเขตอุณหภูมิมีผลต่อแรงดันความจุ–ลักษณะของอุปกรณ์ผลการวิเคราะห์ถูกขีดเส้นใต้โดยการทดลองเชิงตัวเลข