We report the growth process of sil

We report the growth process of silica nanowires (NWs) grown by using a thick Au film as a catalyst,and
suggest an alternative vapor–liquid–solid mechanism for NW growth.The silic aNWs were grown by
high-temperature annealing of silicon substrates coated with an Au film measuring either 20 nm or
60 nmthickinaN2 atmosphere. AnumberofAuparticleswereobservedinsidetheNWs,unlikeNWs
grown a single Au particle attheir top.There sults are attributed to the push-up growth of NWs by the
continuous formation of siliconoxide on the top and/or side surfaces rather than underneath of the
eutectic liquidAu–Si alloy suggested in the conventional vapor–liquid–solid process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานการเจริญเติบโตของ nanowires ซิลิก้า (NWs) โดยใช้ฟิล์มอูหนาเป็นตัว catalyst และแนะนำกลไกการไอของเหลวของแข็งอื่นสำหรับ NW เจริญเติบโต Silic aNWs ได้เติบโตขึ้นด้วย การอบเหนียวสูงอุณหภูมิของพื้นผิวซิลิกอนที่เคลือบ ด้วยฟิล์มอูวัดใด 20 nm หรือบรรยากาศ 60 nmthickinaN2 AnumberofAuparticleswereobservedinsidetheNWs, unlikeNWs โตเดียวอูอนุภาค attheir ลูกข่าง มีมาจาก sults เติบโต push-up NWs โดย ต่อเนื่องการก่อตัวของ siliconoxide บนด้านบน หรือด้านผิว มากกว่าล่าง โลหะผสม eutectic liquidAu – ศรีที่แนะนำในกระบวนการไอของเหลวของแข็งทั่วไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานขั้นตอนการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนซิลิกา (NWS) ที่ปลูกโดยใช้ฟิล์ม Au
หนาเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาและแนะนำกลไกทางเลือกไอของเหลวที่มั่นคงสำหรับการNW growth.The SILIC aNWs
ปลูกโดยการอบที่อุณหภูมิสูงของพื้นผิวเคลือบซิลิกอนกับภาพยนตร์ Au วัดทั้ง 20 นาโนเมตรหรือ
60 บรรยากาศ nmthickinaN2 AnumberofAuparticleswereobservedinsidetheNWs, unlikeNWs
ปลูกอนุภาค Au เดียว attheir ไส top.There จะมีการบันทึกการเจริญเติบโตของการผลักดันขึ้นของ NWS
โดยการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของsiliconoxide ด้านบนและ /
หรือพื้นผิวด้านข้างมากกว่าที่จะอยู่ภายใต้ของโลหะผสมliquidAu ศรียูเทคติกที่แนะนำใน กระบวนการแบบเดิมไอของเหลวของแข็ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานในกระบวนการเติบโตของซิลิกานาโน ( NWS ) ที่ปลูกโดยการใช้ฟิล์มหนา AU เป็นตัวเร่งปฏิกิริยา และเสนอแนะทางเลือก
ของแข็ง ของเหลว และไอน้ำและกลไกสำหรับการเจริญเติบโต NW . anws ซิลิเกตเติบโตโดยการหลอมของพื้นผิวเคลือบซิลิคอน
อุณหภูมิสูงด้วย AU ฟิล์มวัดทั้ง 20 nm หรือ
60 nmthickinan2 บรรยากาศ anumberofauparticleswereobservedinsidethenws unlikenws
,โตเดียวหรืออนุภาค attheir ด้านบน มี sults จะมีการบันทึกเพื่อผลักดันการเติบโตของ NWS โดย
การพัฒนาอย่างต่อเนื่องของ siliconoxide ด้านบนและ / หรือด้านใต้พื้นผิวมากกว่า
เทคติค liquidau –ศรีโลหะผสมแนะนำในแบบของแข็ง ของเหลว และไอน้ำสำหรับกระบวนการ