Preparation of few-layer graphene o

Preparation of few-layer graphene on on-axis 4H–SiC (0001) substrates
using a modified SiC-stacked method

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เตรียม graphene ชั้นบางบนพื้นผิวบนแกน 4H – SiC (0001)ใช้วิธีแก้ไขซ้อน SiC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เตรียมความพร้อมของกราฟีนไม่กี่ชั้นบนแกน 4H-SiC (0001)
พื้นผิวโดยใช้วิธีการแก้ไขดังนี้ซ้อน