Single phase p-type CuAlO2thinfilms

Single phase p-type CuAlO
2
thin
fi
lms were synthesized through the chemical solution deposition method.
The effects of post annealing temperature on the micro-structural, morphological and electrical properties
have been studied. Via the optimized annealing treatment, the Hall effect measurements indicate that the
CuAlO
2
fi
lm belongs to the p-type semiconductor with intrinsic hole carriers of 6.71×10
16
cm
−
3
. The optical
direct bandgap of the CuAlO
2
fi
lm was estimated to be 3.48 eV by room temperature photoluminescence
measurement, while the transmittance in the visible region was as high as 70%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หนึ่งเฟสชนิด p CuAlO2บางไร้สายlms ที่สังเคราะห์ โดยวิธีสะสมน้ำยาผลของการอบเหนียวอุณหภูมิบนคุณสมบัติโครง สร้างไมโคร สัณฐาน และไฟฟ้าลงมีการศึกษา ผ่านการรักษาหลอมให้เหมาะ วัดหอผลบ่งชี้ว่า การCuAlO2ไร้สายlm เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p โดยสายการบินหลุม intrinsic ของ 6.71 × 1016ซม.−3. แบบออปติคอลbandgap โดยตรงของ CuAlO2ไร้สายlm เป็นประมาณ 3.48 eV โดยอุณหภูมิห้อง photoluminescenceวัด ขณะ transmittance ในภูมิภาคสามารถมองเห็นได้สูงสุดถึง 70%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เฟสเดียว CuAlO พีประเภท
2
บางสายLMS ถูกสังเคราะห์โดยวิธีการแก้ปัญหาการสะสมสารเคมี. ผลของอุณหภูมิการหลอมโพสต์บนคุณสมบัติไมโครโครงสร้างทางสัณฐานวิทยาและไฟฟ้าได้รับการศึกษา ผ่านการรักษาอบอ่อนที่ดีที่สุดผลการวัดที่ฮอลล์ระบุว่าCuAlO 2 สายLM เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพีกับผู้ให้บริการที่แท้จริงของหลุม 6.71 × 10 16 ซม. - 3 แสงbandgap โดยตรงของ CuAlO 2 สายLM ก็จะประมาณ 3.48 eV โดยอุณหภูมิห้อง photoluminescence วัดในขณะที่การส่งผ่านในภูมิภาคที่มองเห็นได้สูงถึง 70%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เฟสเดียวพี cualo
2


fi บาง LMS ได้ผ่านสารละลายทางเคมีของวิธีการ ผลของอุณหภูมิการอบอ่อน
โพสต์เมื่อไมโคร โครงสร้างทางสัณฐานวิทยาและสมบัติ
ไฟฟ้าได้ถูกศึกษา ผ่านการอบอ่อนที่เหมาะสมการรักษาหอผลการวัดพบว่า cualo

2

,LM เป็นของพีเซมิคอนดักเตอร์ที่มีภายในหลุมพาหะของ 6.71 × 10


16 cm −
3
แสงโดยตรง bandgap ของ cualo

2

fi LM ซึ่งเป็น 3.48 EV โดยห้องวัดแบบ
อุณหภูมิในขณะที่การส่งผ่านในภูมิภาคที่มองเห็นได้สูงถึง 70%