(a) Clearing the glass substrate, c

(a) Clearing the glass substrate, chromium/copper (10 nm/90 nm) was sputtered as the seed layer based on glass substrate for the plating of the device structure on, then 1 m thick photoresist spin-coating, prebaking and photolithography were carried out.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(ก) พื้นผิวแก้ว ทองแดงโครเมียม (10 nm/90 nm) ถูก sputtered เป็นชั้นเมล็ดตามพื้นผิวแก้วสำหรับชุบของโครงสร้างอุปกรณ์บน แล้ว photoresist หนา 1 เมตรหมุนเคลือบ prebaking และ photolithography ได้ดำเนินการหักบัญชี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ก) การล้างพื้นผิวกระจกโครเมียม / ทองแดง (10 นาโนเมตร / 90 นาโนเมตร) ได้รับการพ่นเป็นชั้นเมล็ดพันธุ์ขึ้นอยู่กับพื้นผิวแก้วชุบของโครงสร้างอุปกรณ์บนแล้ว 1 เมตรหนาไวแสงสปินเคลือบ prebaking และ photolithography ได้ดำเนินการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( ก ) การล้างแผ่นแก้ว โครเมียม / ทองแดง ( 10 nm / 90 nm ) คือ sputtered เป็นเมล็ดพันธุ์ชั้นพื้นฐานบนแผ่นแก้ว สำหรับชุบของโครงสร้างอุปกรณ์แล้ว 1  ม. หนาหมุนและระบบเคลือบ prebaking 43 พบว่า