The double deposition and stripping

The double deposition and stripping steps were proposed to increase the sensitivity in anodic strippingvoltammetry of lead and cadmium. Two in situ plated bismuth film electrodes at drastically differentsurface areas were used for the measurements. Cadmium and lead were at first deposited at the electrodewith a large surface area. When the deposition step at the electrode was finished, the electrode was placedat a short distance opposite the small one. Then Cd(II) and Pb(II) stripped from the first electrode weredeposited at the second electrode. Taking into account the small volume of space between the electrodes,the concentration of Pb(II) and Cd(II) between the electrodes was drastically higher than that in the bulksolution. The deposition step at the second electrode was performed from the solution with a higherconcentration of the determined ions, and so the detection limit was lowered. Calibration was performedfollowing deposition times of 300 and 120 s at the first and the second electrode, respectively. Under suchconditions the detection limits of 1.8 × 10−10and 4.5 × 10−11mol L−1for Pb(II) and Cd(II) were obtained,respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมคู่และขั้นตอนการปอกได้เสนอเพื่อเพิ่มความไวใน strippingvoltammetry anodic ลูกค้าเป้าหมายและแคดเมียม สองใน situ ชุบฟิล์มบิสมัทหุงตที่อย่างรวดเร็ว differentsurface พื้นที่ใช้สำหรับการประเมิน แคดเมียมและตะกั่วที่มีในตอนแรกฝากที่ electrodewith พื้นที่ขนาดใหญ่ เมื่อเสร็จสิ้นขั้นตอนสะสมที่การไฟฟ้า อิเล็กโทรดที่ถูก placedat ไกลตรงข้ามหนึ่งเล็ก แล้ว Cd(II) และ Pb(II) ปล้นจาก weredeposited ไฟฟ้าแรกที่อิเล็กโทรดสอง การพิจารณาปริมาตรเล็ก ๆ ของช่องว่างระหว่างการหุงต ความเข้มข้นของ Pb(II) และ Cd(II) ระหว่างหุงตมีสูงขึ้นอย่างรวดเร็วได้ bulksolution ทำขั้นตอนสะสมที่อิเล็กโทรดสองจากโซลูชันกับ higherconcentration ของประจุที่กำหนด และเพื่อ ตรวจสอบขีดจำกัดถูกลดลง เทียบเป็นเวลาสะสม performedfollowing s 300 และ 120 ครั้งแรกและอิเล็กโทรดสอง ตามลำดับ ภายใต้ตรวจสอบขีดจำกัดของ 1.8 × 10−10and 4.5 × 10−11mol suchconditions L−1for Pb(II) และ Cd(II) ได้รับมา ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสะสมคู่และขั้นตอนการลอกได้เสนอให้เพิ่มความไวใน strippingvoltammetry anodic ของตะกั่วและแคดเมียม สองในแหล่งกำเนิดชุบขั้วไฟฟ้าฟิล์มบิสมัทที่พื้นที่ differentsurface อย่างมากถูกนำมาใช้สำหรับการวัด แคดเมียมและตะกั่วในตอนแรกถูกนำไปฝากไว้ที่ electrodewith พื้นที่ผิวขนาดใหญ่ เมื่อขั้นตอนการสะสมที่ขั้วเสร็จ, อิเล็กโทรดเป็น placedat ระยะทางสั้น ๆ ตรงข้ามเล็ก ๆ แห่งหนึ่ง แล้ว Cd (II) และตะกั่ว (II) ถอดออกมาจากขั้วแรก weredeposited ที่อิเล็กโทรดที่สอง โดยคำนึงถึงปริมาณของช่องว่างระหว่างขั้วไฟฟ้าความเข้มข้นของตะกั่ว (II) และแคดเมียม (II) ระหว่างขั้วไฟฟ้าเป็นอย่างมากสูงกว่าใน bulksolution ขั้นตอนการสะสมที่ขั้วที่สองคือการดำเนินการจากการแก้ปัญหาที่มี higherconcentration ของไอออนมุ่งมั่นและเพื่อให้การตรวจสอบวงเงินลดลง สอบเทียบได้ performedfollowing ครั้งสะสมของ 300 และ 120 วินาทีที่แรกและอิเล็กโทรดที่สองตามลำดับ ภายใต้ suchconditions ขีด จำกัด การตรวจสอบ 1.8 × 4.5 × 10-10and 10-11mol L-1for Pb (II) และแคดเมียม (II) ที่ได้รับตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเคลือบสองครั้งและทำให้ขั้นตอนการเพิ่มความไวในการ strippingvoltammetry ตะกั่วและแคดเมียม สองใน situ ชุบไฟฟ้าในพื้นที่ differentsurface บิสมัท ฟิล์มที่ใช้สำหรับการวัด แคดเมียม และตะกั่วในตอนแรกฝากไว้ที่ electrodewith พื้นที่ผิวขนาดใหญ่ เมื่อการก้าวที่ขั้วไฟฟ้าเสร็จไฟฟ้ากำลัง placedat ระยะทางสั้น ๆ ตรงข้ามกับหนึ่งเล็ก ซีดีแล้ว ( II ) และตะกั่ว ( II ) ถอดจากครั้งแรก weredeposited ที่ขั้วไฟฟ้า 2 คำนึงถึงปริมาณขนาดเล็กของพื้นที่ระหว่างขั้วไฟฟ้าที่เข้มข้นของตะกั่ว ( II ) และซีดี ( 2 ) ระหว่างขั้วไฟฟ้าอยู่ในที่สูงกว่าใน bulksolution .ขั้นตอนการเคลือบขั้วที่สองได้จากโซลูชั่นที่มีกำหนด higherconcentration ของไอออนและดังนั้นขีดจำกัดถูกลดลง การสอบเทียบ คือ performedfollowing สะสมครั้ง 300 และ 120 เป็นครั้งแรก และขั้วที่สองตามลำดับ ภายใต้การ จำกัด suchconditions 1.8 × 10 − 10 45 × 10 − 11mol L −เนื่องจาก Pb ( II ) ซีดี ( 2 ) ที่ได้รับ ตามลำดับ