QCM-D experiments were conducted us

QCM-D experiments were conducted using a Q-sense open module (401 E4 system, Q-sense, Sweden) with a gold-coated sensor to characterize the mass of the deposited TiO2 and GO during the LbL procedure. The sensor was spin-coated with a thin PSf layer to simulate the PSf base membrane subject to surface modification. The procedure for the QCM-D experiments was the same ad that for the membrane surface modification by TiO2-Go.
The vibration frequency and dissipation of the sensor were recorded during the coating process to calculate the amount of mass (ng/cm2) deposited on the sensor surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

QCM-D ได้ดำเนินการทดลองใช้ Q-รู้สึกเปิดโมดูล (401 E4 ระบบ Q-ความรู้สึก สวีเดน) กับเซนเซอร์ทองเคลือบลักษณะมวลของ TiO2 และไปนำฝากในระหว่างขั้นตอน LbL การเซ็นเซอร์ถูกหมุนเคลือบ ด้วยชั้น PSf บางแสร้งเยื่อฐาน PSf มีผิว modification ขั้นตอนการทดลอง QCM D ถูกโฆษณาเดียวกันที่ในเมมเบรนผิวปรับเปลี่ยน โดย TiO2 ไปความถี่ในการสั่นสะเทือนและการกระจายของเซนเซอร์ได้รับการบันทึกในระหว่างกระบวนการเคลือบเพื่อคำนวณยอดเงินโดยรวม (ng/cm2) ฝากบนผิวเซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การทดลอง QCM-D ได้รับการดำเนินการโดยใช้โมดูลเปิด Q-ความรู้สึก (401 E4 ระบบ Q-รู้สึกสวีเดน) ที่มีเซ็นเซอร์ทองเคลือบลักษณะมวลของ TiO2 และฝากไปในระหว่างขั้นตอนการ LBL เซ็นเซอร์ได้รับการสปินเคลือบด้วยชั้นบาง PSF เพื่อจำลองเยื่อฐานตารางฟุตภายใต้พื้นผิวไอออนบวกสาย Modi ขั้นตอนสำหรับการทดลอง QCM-D เป็นโฆษณาเดียวกันว่าสำหรับการปรับเปลี่ยนพื้นผิวเมมเบรนโดย TiO2-Go.
ความถี่ในการสั่นสะเทือนและการกระจายของเซ็นเซอร์ที่ถูกบันทึกไว้ในระหว่างขั้นตอนการเคลือบในการคำนวณปริมาณของมวล (ng / cm2) วางลงบน พื้นผิวเซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

qcm-d การทดลองใช้ q-sense เปิดโมดูล ( 401 ระบบ q-sense , สวีเดน e4 ) กับเซนเซอร์ทองเคลือบในลักษณะของมวลของฝาก ) และไปในขั้นตอน lbl . เซ็นเซอร์ที่ถูกหมุนที่เคลือบด้วยชั้น PSF บางจำลอง PSF เยื่อฐานภายใต้พื้นผิว Modi จึงไอออนบวกขั้นตอนการ qcm-d การทดลองเดียวกันโฆษณาสำหรับการปรับผิวเมมเบรนโดย TiO2 ไป .
การสั่นสะเทือนความถี่และการกระจายของเซ็นเซอร์ที่ถูกบันทึกไว้ในกระบวนการเคลือบเพื่อคำนวณปริมาณของมวล ( ng / cm2 ) ฝากบนพื้นผิวของเซ็นเซอร์