The insulated gate bipolar transist

The insulated gate bipolar transistor (IGBT), which was
introduced in the early 1980s, has become a successful
device because of its superior characteristics. The IGBT is a
three-terminal power semiconductor switch used to control
electrical energy and many new applications would not be
economically feasible without IGBTs. Prior to the advent of
the IGBT, power bipolar junction transistors (BJTs) and power
metal oxide field effect transistors (MOSFETs) were widely
used in low to medium power and high-frequency applications,
where the speed of gate turn-off thyristors was not
adequate. Power BJTs have good on-state characteristics but
long switching times especially at turn-off. They are currentcontrolled
devices with small current gain because of highlevel
injection effects and wide basewidth required to prevent
reach-through breakdown for high blocking voltage capability.
Therefore, they require complex base-drive circuits to provide
the base current during on-state, which increases the power
loss in the control electrode.
On the other hand, power MOSFETs are voltage-controlled
devices, which require very small current during the switching

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประตูฉนวนไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ (IGBT), ซึ่งถูก
ในต้นทศวรรษ 1980 ได้กลายเป็นที่ประสบความสำเร็จ
อุปกรณ์ มีลักษณะเหนือกว่า IGBT มีเป็น
สลับสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าสามเทอร์มินัลที่ใช้ในการควบคุม
พลังงานไฟฟ้าและโปรแกรมประยุกต์ใหม่จำนวนมากจะไม่
อย่างเป็นไปได้โดยไม่ต้อง IGBTs ก่อนการมาถึงของ
IGBT พลังงานเชื่อมต่อไฟที่ไบโพลาร์ transistors (BJTs) และพลัง
transistors ผลฟิลด์โลหะออกไซด์ (MOSFETs) ได้อย่างกว้างขวาง
ใช้ต่ำให้พลังงานปานกลางและการใช้งานความถี่สูง,
ที่ความเร็วของ thyristors หันออกประตูไม่
พอ BJTs พลังงานได้ดีในสถานะลักษณะ แต่
สลับเวลายาวนานโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่หันออก จะ currentcontrolled
อุปกรณ์ที่ มีขนาดเล็กปัจจุบันได้เนื่องจาก highlevel
ผลฉีดและกว้าง basewidth ต้องป้องกัน
ถึงผ่านแบ่งสำหรับบล็อกความสามารถแรงดันสูง
ดังนั้น พวกเขาต้องซับซ้อนฐานขับวงจรให้
ฐานปัจจุบันระหว่างในสถานะ ซึ่งช่วยเพิ่มพลัง
สูญเสียในการควบคุมไฟฟ้า
บนมืออื่น ๆ MOSFETs ไฟฟ้าจะควบคุมแรงดันไฟฟ้า
อุปกรณ์ ซึ่งต้องสะอาดปัจจุบันระหว่างสลับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฉนวนประตูไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ( IGBT ) ซึ่ง
แนะนำในต้นทศวรรษ 1980 , ได้กลายเป็นอุปกรณ์ที่ประสบความสำเร็จ
เพราะลักษณะของมันที่เหนือกว่า ที่ IGBT เป็น
3 ขั้วสวิตช์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้าที่ใช้ในการควบคุมพลังงานไฟฟ้าและโปรแกรมใหม่ ๆ

จะเป็นไปได้ทางเศรษฐกิจ โดยไม่ igbts . ก่อนการมาถึงของ
IGBT ,ชุมทางทรานซิสเตอร์สองขั้วอำนาจ ( bjts ) และด้านโลหะออกไซด์พลังงานผลทรานซิสเตอร์ ( สอด ) ถูกใช้อย่างกว้างขวางในระดับไฟปานกลาง

และการใช้งานความถี่สูงที่ความเร็วของประตูที่ปิดไม่ thyristors
อย่างเพียงพอ พลัง bjts มีลักษณะรัฐแต่
ยาวสลับครั้งโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ปิด พวกเขาจะ currentcontrolled
อุปกรณ์ที่มีขนาดเล็ก เนื่องจากได้รับกระแสสูง
ฉีดผลและกว้าง basewidth ต้องป้องกันการเข้าถึงผ่านการแบ่งระดับบล็อก

ในแรงดันไฟฟ้า จึงต้องใช้วงจรขับฐานซับซ้อนให้
ฐานปัจจุบันระหว่างรัฐ ซึ่งเป็นการเพิ่มอำนาจในการควบคุมการสูญเสียไฟฟ้า
.
บนมืออื่น ๆ , พลังงาน สอดเป็นอุปกรณ์ควบคุม
แรงดันไฟฟ้าซึ่งมีขนาดเล็กมากในการเปลี่ยนปัจจุบัน