In the present study, UV light acti

In the present study, UV light activated gas sensor was investigated for Al/Al2O3/p-Si and Al/TiO2/Al2O3/p-Si samplesby atomic layer deposition method (ALD). Generally, in order to obtain the sensing performance, traditional metal oxide semiconductor gas sensors are operated at 100–400 °C. However, this temperature range limits their applications to flammable gases, and causes high power consumption.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการศึกษาปัจจุบัน UV แสงใช้ก๊าซเซ็นเซอร์ถูกสอบสวน อัล/Al2O3/p-Si และ Al/TiO2/Al2O3/p-ซี samplesby ชั้นอะตอมวิธีสะสม (ALD) ทั่วไป เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพ sensing แบบโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำก๊าซเซนเซอร์จะดำเนินการใน 100 – 400 องศาเซลเซียส อย่างไรก็ตาม อุณหภูมิช่วงนี้จำกัดโปรแกรมประยุกต์ให้ก๊าซไวไฟ และทำให้พลังงานสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการศึกษาปัจจุบันที่เปิดใช้งานแก๊สเซ็นเซอร์แสงยูวีได้รับการตรวจสอบสำหรับ Al / Al2O3 / p-Si และอัล / TiO2 / Al2O3 / p-Si สารตัวอย่างวิธีการสะสมชั้นอะตอม (มรกต) โดยทั่วไปเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพการตรวจจับโลหะออกไซด์ก๊าซเซ็นเซอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบดั้งเดิมจะดำเนินการที่ 100-400 องศาเซลเซียส อย่างไรก็ตามช่วงอุณหภูมินี้ จำกัด การใช้งานของพวกเขาเพื่อก๊าซไวไฟและทำให้เกิดการใช้พลังงานสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการศึกษาใช้แก๊สเซ็นเซอร์แสง UV ถูกสอบสวนสำหรับล / Al2O3 / p-si และอัล / TiO2 / Al2O3 / p-si สะสมชั้นอะตอมตัวอย่างวิธี ( ald ) โดยทั่วไป เพื่อให้ได้สัมผัสประสิทธิภาพของเซ็นเซอร์ก๊าซออกไซด์สารกึ่งตัวนำโลหะแบบดั้งเดิมจะดำเนินการ 100 - 400 องศา อย่างไรก็ตาม ช่วงอุณหภูมิการใช้งาน จำกัด ของก๊าซไวไฟและสาเหตุที่พลังงานสูง