was used to directly characterize t

was used to directly characterize the GNPs attachment on GaAs surface. As shown in Fig. 2B, a typical GNPs-GaAs hybrid structure was obtained by incubating thiolated dsDNA-GaAs with GNPs. The GNPs were evenly distributed over the whole GaAs surface with a diameter of ∼5 nm. Whereas, untreated or nonthiolated dsDNA-GaAs resulted in a clean surface without any GNPs. Therefore, the functionalized DNA duplex scaffolds are responsible for GNPs attachment on GaAs substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้การอธิบายลักษณะสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs ผิวโดยตรง ดังแสดงในรูป 2B โครงสร้างไฮบริ GNPs GaAs ทั่วไปได้รับ โดย incubating thiolated dsDNA GaAs ด้วย GNPs GNPs ได้กระจายพื้น GaAs ทั้งอาหาร ∼5 nm ขณะ ไม่ถูกรักษา หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวสะอาดโดยไม่ GNPs ใด ๆ ดังนั้น scaffolds เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ functionalized รับผิดชอบสำหรับสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs พื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ได้ถูกใช้ในลักษณะของสิ่งที่แนบมาโดยตรง GNPs บนพื้นผิว GaAs ดังแสดงในรูป 2B, ทั่วไปโครงสร้างไฮบริด GNPs-GaAs ได้มาจากการบ่ม thiolated dsDNA-GaAs กับ GNPs GNPs มีการกระจายอย่างสม่ำเสมอตลอดพื้นผิว GaAs ทั้งที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง ~5 นาโนเมตร ในขณะที่ได้รับการรักษาหรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวที่สะอาดโดยไม่ต้อง GNPs ใด ๆ ดังนั้นฟังก์ชันดีเอ็นเอโครงเพล็กซ์มีความรับผิดชอบในสิ่งที่แนบมาใน GNPs GaAs สารตั้งต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ถูกใช้โดยตรง ลักษณะของสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs พื้นผิว ดังแสดงในรูปที่ 2B เป็นลูกผสม gnps ในโครงสร้างได้ โดยการแช่ thiolated dsdna GaAs ด้วย gnps . การ gnps กำลังกระจายตัวทั่วทั้งพื้นผิวแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง∼ 5 นาโนเมตร ส่วนดิบ หรือ nonthiolated dsdna นี้มีผลในการทำความสะอาดผิว โดยไม่ gnps . ดังนั้น ที่มี DNA เพล็กซ์นั่งร้านรับผิดชอบสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs substrate .