Forsecondary electron (SE) and back

For
secondary electron (SE) and backscattered electron (BSE) imaging
the incident electron beam was kept to 15 kV. Philips XL30 FEGSEM
was employed for electron backscatter diffraction (EBSD)
mapping

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับอิเล็กตรอนทุติย (SE) และการถ่ายภาพแสงกลับอิเล็กตรอน (BSE)ลำแสงตกกระทบอิเล็กตรอนถูกเก็บ 15 kV Philips XL30 FEGSEMถูกจ้างสำหรับอิเล็กตรอนกระจายแสงกระจายกลับ (EBSD)การแม็ป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ
อิเล็กตรอนทุติยภูมิ (SE) และอิเล็กตรอนที่สะท้อนกลับ (BSE) การถ่ายภาพ
ลำแสงอิเล็กตรอนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นถูกเก็บไว้ถึง 15 กิโลโวลต์ ฟิลิปส์ XL30 FEGSEM
ถูกจ้างสำหรับอิเล็กตรอนแบบแสงสะท้อนเลนส์ (EBSD)
การทำแผนที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ ( SE ) และ backscattered อิเล็กตรอน ( BSE ) ภาพเหตุการณ์ลำแสงอิเล็กตรอนที่ถูกเก็บไว้ 15 kV . xl30 fegsem ฟิลิปส์โดยใช้การเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนกระเจิงกลับ ( ebsd )แผนที่