is operated in the low conduction r

is operated in the low conduction regime [60].Afurther improvement of the depletion
layer model is achieved by introducing a process of creation, by hot electrons [56]
and impact ionisation [58, 59, 61], of holes [62, 63] in the depletion layers which are
inversely polarised compared with the double Schottky barrier. Under the effect of
the field, the created holes are collected at the interface and narrow the potential hill
at the intergranular interface and favour tunnelling [53]. However, tunnelling was
rejected and the presence of holes was associated at the interface with lowering of
the potential barrier height [60, 64]. As a result, a sharp increase of current for a very
small increase in applied voltage is obtained. A further step in the formulation of the
conduction mechanism takes into account recombination of the created holes [58].
5.3.4.2 Description of the high conduction model
Consider the situation where two ZnO grains meet to form a grain boundary. The
thickness of the intergranular layer is assumed very thin, so that it can be neglected.
Gap states are then formed at the interface and trap a negative charge. This charge
is screened by the ionised donors’ ZnO. As a result, depletion layers appear on both

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คือการดำเนินการในระบอบการปกครองการนำต่ำ [60]. การปรับปรุงพร่อง
ชั้นแบบ afurther จะประสบความสำเร็จโดยการแนะนำขั้นตอนของการสร้างโดยอิเล็กตรอนร้อน [56]
และผลกระทบ Ionisation [58, 59, 61], หลุม [62 , 63] ในชั้นการสูญเสียซึ่งเป็นขั้วตรงกันข้าม
เมื่อเทียบกับอุปสรรค Schottky คู่ ภายใต้ผลกระทบของ
ฟิลด์หลุมที่สร้างขึ้นจะถูกเก็บรวบรวมที่อินเตอร์เฟซและแคบเนินเขาที่มีศักยภาพ
ที่อินเตอร์เฟซและการสนับสนุนการขุดอุโมงค์ตามขอบเกรน [53] แต่การขุดอุโมงค์เป็น
ปฏิเสธและการปรากฏตัวของหลุมมีความสัมพันธ์ที่เชื่อมต่อกับการลดของ
ความสูงที่อาจเกิดอุปสรรค [60, 64] เป็นผลให้การเพิ่มมากขึ้นของปัจจุบันมาก
เพิ่มขึ้นเล็กน้อยในแรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการประยุกต์ใช้ขั้นตอนต่อไปในการกำหนดกลไกการนำ
จะนำเข้าบัญชีของการรวมตัวกันอีกหลุมที่สร้างขึ้น [58].
คำอธิบาย 5.3.4.2 ของรูปแบบการนำสูง
พิจารณาสถานการณ์ที่สองเมล็ด ZnO ตอบสนองในรูปแบบขอบเขตเม็ด
ความหนาของชั้นขอบเกรนจะถือว่าบางมากเพื่อที่จะสามารถละเลย.
รัฐช่องว่างที่เกิดขึ้นแล้วที่อินเตอร์เฟซและกับดักประจุลบ ค่าใช้จ่ายนี้
ได้ผ่านการคัดเลือกจากผู้บริจาค ZnO ซึม ' เป็นผลให้ชั้นพร่องปรากฏบนทั้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดำเนินในระบอบจึงต่ำ [60]ปรับปรุง Afurther ของการลดลงของ
แบบจำลองชั้นสามารถทำได้ โดยการแนะนำกระบวนการของการสร้าง โดยอิเล็กตรอนร้อน [56]
และ ionisation [58, 59, 61], ปรุ [62, 63] ในชั้นจนหมดซึ่งจะส่งผลกระทบ
inversely polarised เทียบกับอุปสรรค Schottky คู่ ภายใต้ผลของ
ฟิลด์ สร้างหลุมรวบรวมอินเทอร์เฟซ และแคบเขามีศักยภาพ
ที่อินเทอร์เฟซ intergranular และโปรดปราน tunnelling [53] อย่างไรก็ตาม tunnelling ถูก
ปฏิเสธ และสถานะของหลุมก็เกี่ยวข้องกับการลดลงของ
สูงของสิ่งกีดขวางมีศักยภาพ [60, 64] เพิ่มผล คมชัดของปัจจุบันในการมาก
รับใช้แรงดันขนาดเล็กเพิ่มขึ้น ขั้นตอนเพิ่มเติมในการกำหนด
กลไกจึงจะเข้าบัญชี recombination ของหลุมสร้างขึ้น [58] .
5.3.4.2 อธิบายเกี่ยวกับแบบจำลองการนำสูง
พิจารณาสถานการณ์ที่สอง ZnO ธัญพืชตามขอบข้าวเพื่อการ ใน
ความหนาของชั้น intergranular สันนิษฐานบางมาก เพื่อให้มันสามารถถูกที่ไม่มีกิจกรรม
อเมริกาช่องว่างโดยทั่วไปแล้วเกิดที่อินเทอร์เฟซและดักประจุลบ ค่าธรรมเนียมนี้
ฉาย โดย ZnO ของผู้บริจาคที่ ionised ปรากฏเป็นผล การลดลงของชั้นทั้งสองอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใช้งานในระบบการปกครองการทำต่ำ[ 60 ]. afurther การปรับปรุงระบบรุ่น
ซึ่งจะช่วยชั้นที่สามารถทำได้โดยการแนะนำขั้นตอนของการสร้างโดยอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอร้อน[ 56 ]
และส่งผลกระทบต่อ ionisation [ 585961 ]ของรู[ 6263 ]ในชั้นทำให้หมดสิ้นลงซึ่งมี
กลับแตกแยกเมื่อเทียบกับ Great Barrier schottky แบบเตียงนอนเดี่ยวขนาดใหญ่หนึ่งเตียงได้ อยู่ในที่ของฟิลด์
ซึ่งจะช่วยได้รูถูกสร้างขึ้นจะมีการเก็บที่อินเตอร์เฟซที่แคบและเนินเขาที่มี ศักยภาพ สูง
ที่อินเตอร์เฟซที่ดีและให้ tunnelling [ 53 ] แต่ถึงอย่างไรก็ตาม tunnelling เป็น
ถูกปฏิเสธและการมีอยู่ของรูมีความเกี่ยวข้องในระดับความสูงอินเตอร์เฟซด้วยการลดอุปสรรค
ซึ่งจะช่วยให้มี ศักยภาพ ในการที่[ 6064 ] เป็นผลที่เพิ่มขึ้นมีความคมในการเพิ่มขนาดเล็กในปัจจุบันสำหรับเป็นอย่างมากที่ในระดับแรงดันไฟฟ้า
ซึ่งจะช่วยนำไปใช้ได้อีกก้าวหนึ่งในการวางกลไกการ
ซึ่งจะช่วยนำพาไปสู่บัญชี recombination ของรูถูกสร้างขึ้นที่[ 58 ].
5.3.4.2 รายละเอียดของรุ่นการทำสูงที่
ซึ่งจะช่วยพิจารณาสถานการณ์ที่สองเมล็ดธัญพืช zno ตรงกับความต้องการในเขตเมล็ดธัญพืชที่
ความหนาของชั้นดีที่ได้รับการสันนิษฐานเป็นอย่างมากบางอย่างที่สามารถที่จะละเลยไปแล้ว.
รัฐลดช่องว่างได้ที่อินเตอร์เฟซและกับดักชาร์จติดลบแล้ว ค่าธรรมเนียมนี้
ซึ่งจะช่วยเป็นฉากโดย zno ' ionised ผู้บริจาคได้ เป็นผลให้หลายชั้นทำให้หมดสิ้นลงปรากฏบนทั้งสอง