which was deposited with 5-lm Cu la

which was deposited with 5-lm Cu layer on the front interconnect of the Cu/Ge/Pd structures, the conversion efficiency

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งได้ฝากไว้กับ 5 lm ชั้นทองแดงบน interconnect หน้าโครงสร้าง Cu/Ge/Pd ประสิทธิภาพการแปลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งได้รับการฝากไว้กับลูกบาศ์กชั้น 5 LM ในการเชื่อมต่อด้านหน้าของลูกบาศ์ก / Ge / โครงสร้าง Pd ประสิทธิภาพการแปลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งฝากไว้กับ 5-lm ลบเลเยอร์บนด้านหน้า ( ของ Cu / GE / PD โครงการแปลงประสิทธิภาพ