As is obvious in this equation, the

As is obvious in this equation, the wavelength shift is independent of the substrate refractive index (n3), and thus, Si was selected due to the moderate reflectivity in the visible spectral range, the very low roughness that minimize the diffuse reflectance, and of course the potential for mass fabrication of the chips at low cost. At the same time if n0 o n1 o n2, then δλ increases as n1 approaches n2 since in such a case r2 approaches zero.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชัดเจนในสมการนี้ การเปลี่ยนแปลงความยาวคลื่นเป็นอิสระของดัชนีหักเหของแสงของพื้นผิว (n3), แล้วจึง เลือกศรีเนื่องจากสัมประสิทธิ์ปานกลางในช่วงสเปกตรัมมองเห็นได้ ความหยาบต่ำมากที่ลดการสะท้อนกระจาย และแน่นอนว่าศักยภาพในการผลิตมวลของชิโอ ในเวลาเดียวกัน ถ้า n0 o n1 o n2 แล้วδλ เพิ่มเป็น n1 n2 วิธี ตั้งแต่ในกรณีนี้ r2 ใกล้ศูนย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นที่ชัดเจนในสมการนี้กะความยาวคลื่นมีความเป็นอิสระของดัชนีพื้นผิวการหักเหของแสง (N3) และทำให้ศรีได้รับเลือกเนื่องจากการสะท้อนแสงในระดับปานกลางในช่วงสเปกตรัมที่มองเห็นความขรุขระต่ำมากที่ลดการสะท้อนกระจายและ หลักสูตรที่มีศักยภาพสำหรับการผลิตมวลของชิปที่มีต้นทุนต่ำ ในขณะเดียวกันถ้า N0 o N1 N2 o แล้วδλเพิ่มขึ้นตามแนวทาง N1 N2 ตั้งแต่ในกรณีเช่นนี้ R2 ใกล้ศูนย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นที่ชัดเจนในสมการนี้ แสงเปลี่ยนเป็นอิสระของพื้นผิวดรรชนีหักเห ( N3 ) และ จึง ชีได้รับเลือกเนื่องจากการสะท้อนในระดับปานกลางในช่วงสเปกตรัมที่มองเห็นต่ำมากผิวที่ลดการสะท้อนกระจาย และแน่นอนว่าศักยภาพสำหรับมวลผลิตชิปที่ค่าใช้จ่ายต่ำ ในเวลาเดียวกันถ้า NO N1 O o 2 แล้วδλเพิ่มขึ้นเป็นแนว N1 N2 ตั้งแต่ในกรณีเช่นอาร์ทูเข้าใกล้ศูนย์