Voc approaches a value of Eg/q = 1.

Voc approaches a value of Eg/q = 1.45 volts
(the band gap of the CdTe absorber) as T approaches
zero, indicating an ideal p-n junction [33]. For our
device, Voc in Fig. 5(d) extrapolates to a value of 1.18
volts as T approaches 0 K. This is lower than the value
of 1.45 volts for CdTe and is an indication of the
presence of non-ideal current transport mechanisms
involving tunneling and interface recombination at
the CdS-CdTe interface [33]. We are in the process of
devising strategies for reducing the tunneling and
interface recombination currents at the junction
interfaces in these nanotube solar cells.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Voc วิธีมูลค่าเช่น / q = 1.45 โวลต์
(ช่องว่างวงของโช้ค CdTe) เป็นแนวทาง T
ศูนย์ชี้ทางแยก PN เหมาะ [33] สำหรับของเราอุปกรณ์ Voc ในรูป
5 (ง) การประมาณค่ากับมูลค่าของ 1.18
โวลต์เป็นแนวทาง T 0 เคนี่คือต่ำกว่ามูลค่า
1.45 โวลต์สำหรับ CdTe และข้อบ่งชี้ของการที่การปรากฏตัวของที่ไม่เหมาะกลไกการขนส่งในปัจจุบันที่เกี่ยวข้องกับการขุดเจาะอุโมงค์และอินเตอร์เฟซที่รวมตัวกันอีกซีดีอินเตอร์เฟซ -CdTe [33] เราอยู่ในกระบวนการของการณ์กลยุทธ์เพื่อลดการขุดอุโมงค์และกระแสการรวมตัวกันของอินเตอร์เฟซที่แยกการเชื่อมต่อเหล่านี้นาโนเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับแนวทางค่าเช่น / q = 1.45 โวลต์
( ช่องว่างแถบของ cdte absorber ) เป็น t แนวทาง
ศูนย์ระบุ p-n Junction เหมาะ [ 33 ] สำหรับอุปกรณ์ของเรา
, VOC ในรูปที่ 5 ( D ) extrapolates เพื่อมูลค่า 1.18
0 K . โวลต์เป็น T วิธีนี้สูงกว่ามูลค่า 1.45 cdte
ของโวลต์และข้อบ่งชี้ของการแสดงตนของปัจจุบันไม่เหมาะ

การขนส่งกลไกและการเกี่ยวข้องกับการอินเตอร์เฟซที่
ซีดี cdte อินเตอร์เฟซ [ 33 ] เราอยู่ในกระบวนการของการสร้างกลยุทธ์เพื่อลดการ

เฟสและกระแสที่แยกการอินเตอร์เฟซในเซลล์แสงอาทิตย์เหล่านี้

นาโนทิวบ์