Part of the processing sequence stu

Part of the processing sequence studied is the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of a SiO2 layer in a capacitively coupled plasma (CCP) reactor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนหนึ่งของลำดับการประมวลผลที่ศึกษาได้สะสมเพิ่มพลาสม่าไอสารเคมี (PECVD) ของชั้น SiO2 ในเครื่องปฏิกรณ์พลาสมาควบคู่ capacitively (CCP) เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นส่วนหนึ่งของลำดับการประมวลผลการศึกษาเป็นไอสารเคมีสะสมเพิ่มพลาสม่า (PECVD) ของชั้น SiO2 ในพลาสม่าคู่ capacitively (CCP) เครื่องปฏิกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนของการประมวลผลลำดับซึ่งเป็นพลาสมาเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition ( pecvd ) ของชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ใน capacitively คู่พลาสมา ( CCP ) เครื่องปฏิกรณ์