3.2. Photocatalytic properties3.2.1

3.2. Photocatalytic properties
3.2.1. Effects of input power on the removal of TC
Fig. 6 illustrated the effect of input power on the degradation
rate of TC in plasma-TiO2 system. As shown in Fig. 6, anatase
TiO2 played a major role in the removal of aqueous TC. When the
input power of corona discharge was 36.0 W, the decomposition
rate of TC was calculated to 77.9% after 24 min in plasma-TiO2 system,
while only 61.9% in the single discharge process. Meanwhile,
the TC adsorption rate of TiO2 just reached 4.6%. With the discharge
power increased, TC removal was enhanced progressively
and the removal rate could reach 94.0% at 60.0 W. The information
showed that the removal rate of TC could be improved with the
increasing input power and the catalyst concentration, and there
existed synergistic effects between the two reaction mechanisms.
It was well known that the valence band electron and hole pairs
(h+ and e) in the catalyst surface would be stimulated by UV light
and visible light energy, leading to the generation of amounts of
active species, which made response to TC decomposition. Meanwhile,
when the applied power increased, the active materials
(high energy electron, strong electric field and chemical active species
etc.) would become stronger, militating for the removal effects
of TC effectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2 กระคุณสมบัติ3.2.1. ผลของอินพุตลบของ TCFig. 6 แสดงผลของอินพุตที่ย่อยสลายอัตราของ TC ในระบบพลาสม่า TiO2 ตามที่แสดงใน Fig. 6, anataseTiO2 เล่นบทบาทสำคัญในการกำจัดอควี TC เมื่อการพลังงานที่ป้อนเข้าของปรากฏการณ์ได้ 36.0 W การเน่าอัตราของ TC ถูกคำนวณถึง 77.9% หลังจาก 24 นาทีในระบบพลาสม่า TiO2ในขณะที่เพียง 61.9% ในการปล่อยเดี่ยว ในขณะเดียวกันอัตราการดูดซับ TC ของ TiO2 เพียงถึง 4.6% มีการปล่อยออกเพิ่มพลังงาน TC เอาถูกเพิ่มความก้าวหน้าและอัตราการกำจัดสามารถเข้าถึง 94.0% 60.0 ปริมาณ ข้อมูลพบว่า อัตราการกำจัดของ TC สามารถปรับปรุงด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ catalyst อินพุต และมีอยู่ผลพลังระหว่างกลไกปฏิกิริยาสองก็รู้จักกันดีว่า การเวเลนซ์วงคู่อิเล็กตรอนและหลุม(h + และ e) ใน catalyst พื้นผิวที่จะจะถูกกระตุ้น โดยแสง UVและ พลังงานแสงสามารถมองเห็นได้ นำไปสู่การสร้างเงินใช้สายพันธ์ ที่ทำการแยกส่วนประกอบของ TC ในขณะเดียวกันเมื่อการเพิ่มขึ้นของพลังงานที่ใช้ วัสดุใช้งานอยู่(อิเล็กตรอนพลังงานสูง แข็งแรงสนามไฟฟ้า และชนิดใช้สารเคมีฯลฯ) จะกลายเป็นแข็งแกร่ง militating สำหรับเอาผลของ TC ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 คุณสมบัติโฟ
3.2.1 ผลกระทบของการใช้พลังงานข้อมูลเกี่ยวกับการกำจัดของ TC
รูป 6
แสดงให้เห็นถึงผลกระทบของการใช้พลังงานในการย่อยสลายการป้อนข้อมูลอัตราTC ในระบบพลาสม่า TiO2 ดังแสดงในรูป 6 แอนาเทส
TiO2 มีบทบาทสำคัญในการกำจัดน้ำ TC เมื่อไฟอินพุตของการปล่อยโคโรนาเป็น 36.0 W, การสลายตัวของอัตราการTC ที่คำนวณได้ไป 77.9% หลังจาก 24 นาทีในระบบพลาสม่า TiO2, ขณะที่มีเพียง 61.9% ในขั้นตอนการปล่อยซิงเกิ้ล ในขณะที่อัตราการดูดซับของ TC TiO2 เพียง 4.6% ถึง ด้วยการปล่อยพลังงานที่เพิ่มขึ้น, การกำจัด TC ได้เพิ่มขึ้นมีความก้าวหน้าและอัตราการกำจัดสามารถเข้าถึง 94.0% ที่ 60.0 W. ข้อมูลที่แสดงให้เห็นว่าอัตราการกำจัดของTC อาจจะดีขึ้นด้วยกำลังไฟฟ้าเข้าที่เพิ่มขึ้นและความเข้มข้นของตัวเร่งปฏิกิริยาและมีอยู่การเสริมฤทธิ์ระหว่างสองกลไกปฏิกิริยา. มันเป็นที่รู้จักกันดีว่าอิเล็กตรอนจุแถบและคู่หลุม(h + และ e?) บนพื้นผิวตัวเร่งปฏิกิริยาจะได้รับการกระตุ้นด้วยแสงยูวีและพลังงานแสงที่มองเห็นที่นำไปสู่การสร้างจำนวนของสายพันธุ์ที่ใช้งานซึ่งการตอบสนองที่เกิดขึ้นกับการสลายตัว TC ในขณะเดียวกันเมื่อนำไปใช้พลังงานเพิ่มขึ้นวัสดุที่ใช้งาน(อิเล็กตรอนพลังงานสูงสนามไฟฟ้าที่แข็งแกร่งและการใช้งานสารเคมีชนิดอื่น ๆ ) จะกลายเป็นที่แข็งแกร่ง militating สำหรับผลการกำจัดของTC ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 . คุณสมบัติรี
ดำเนินงาน . ผลของสัญญาณในการกำจัดทีซี
รูปที่ 6 แสดงผลของสัญญาณในอัตราการย่อยสลาย
TC ในระบบ plasma-tio2 . ดังแสดงในรูปที่ 6
anatase TiO2 เล่นมีบทบาทสำคัญในการกำจัดสารละลาย TC เมื่อใส่พลังของโคโรน่าดิสชาร์จได้
w
36.0 , อัตราการสลายตัวของ TC มีค่า 779 % หลัง 24 นาที ในระบบ plasma-tio2
, ในขณะที่เพียง 61.9 เปอร์เซ็นต์ ในกระบวนการปล่อยเดี่ยว โดย
TC อัตราการดูดซับของ TiO2 ถึง 4.6 ล้านบาท กับปล่อย
พลังงานที่เพิ่มขึ้น , การกำจัด TC เพิ่มขึ้นทุกที
และอัตราการกำจัดสามารถเข้าถึงข้อมูล 94.5 % ที่ 60.0 W .
) พบว่า อัตราการกำจัดของ TC จะดีขึ้นตาม
เพิ่มสัญญาณ และความเข้มข้นของตัวเร่งปฏิกิริยา และมี
มีอยู่ที่ผลระหว่างสองกลไกปฏิกิริยา .
ก็รู้จักกันดีว่า วาเลนซ์แบนด์อิเล็กตรอนและหลุมคู่
( H และ E  ) ในพื้นผิวของตัวเร่งปฏิกิริยาจะถูกกระตุ้นโดย
แสง UV และแสงพลังงานไปสู่การสร้างปริมาณของ
ใช้งานชนิด ซึ่งทำให้การตอบสนองต่อ TC การสลายตัว โดย
เมื่อใช้พลังเพิ่มขึ้น วัสดุที่ใช้งานอยู่ (
อิเล็กตรอนพลังงานสูงสนามไฟฟ้าที่แข็งแกร่งและใช้งานสารเคมีชนิด
ฯลฯ ) จะกลายเป็นที่แข็งแกร่ง militating ผลการกำจัด
ของ TC มีประสิทธิภาพ