More recently, electron diffraction

More recently, electron diffraction was demonstrated with single- and double-slits using
focused ion beam (FIB) milled nano-slits [7, 8]. In addition, one single slit in a double-slit
was closed by FIB induced deposition [9]. This process is not reversible, so observation of the
electron probability distribution through both single-slits could not be done. Also, using a fastreadout
pixel detector, electrons were recorded one at a time and stacked into a final diffraction
pattern [10], but intermediate spatial patterns were not reported.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อเร็ว ๆ นี้ อิเล็กตรอนเลี้ยวเบนก็แสดงให้เห็นด้วยเดี่ยว - และสองสลิตเดี่ยวโดยใช้ลำแสงไอออนที่เน้น (โลตอแหล) แป้งสลิตนาโน [7, 8] นอกจากนี้ หนึ่งเดียวร่องในบ้านร่องใหญ่ถูกปิด โดยโลตอแหลเกิดสะสม [9] กระบวนการนี้ไม่สามารถย้อนกลับได้ ตรวจสอบเพื่อการไม่สามารถทำการกระจายความน่าเป็นอิเล็กตรอนผ่านทั้งสลิตเดี่ยว ใช้เป็น fastreadoutตรวจจับพิกเซล อิเล็กตรอนถูกบันทึกครั้งละหนึ่ง และซ้อนกันเป็นการกระจายขั้นสุดท้ายมีรายงานรูปแบบ [10], แต่รูปแบบเชิงพื้นที่ระดับกลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเร็ว ๆ นี้การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนได้แสดงให้เห็นกับเดี่ยวและคู่กรีดโดยใช้
ลำแสงไอออนเน้น (ตอแหล) แป้งนาโนกรีด [7, 8] นอกจากนี้หนึ่งช่องเดียวในสองช่อง
ถูกปิดโดย FIB ทับถมเหนี่ยวนำให้เกิด [9] กระบวนการนี้ไม่สามารถย้อนกลับเพื่อสังเกตของ
การกระจายอิเล็กตรอนผ่านทั้งช่องเดียวไม่สามารถทำได้ นอกจากนี้ยังใช้ fastreadout
ตรวจจับพิกเซลอิเล็กตรอนที่ถูกบันทึกไว้ในช่วงเวลาหนึ่งและซ้อนกันเป็นเลนส์สุดท้าย
รูปแบบ [10] แต่รูปแบบการกระจายกลางไม่ได้รับรายงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อเร็วๆ นี้ ได้แสดงให้เห็นถึงกับการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนเดี่ยวและสองช่องโดยใช้โฟกัสไอออนบีม ( FIB ) สารนาโนสลิต [ 7 , 8 ) นอกจากนี้ หนึ่งในคู่เดียวกรีดกรีดถูกปิดโดยการพราง ) [ 9 ] กระบวนการนี้จะไม่กลับ ดังนั้น การสังเกตของอิเล็กตรอนการแจกแจงความน่าจะเป็นที่ผ่านทั้งเดี่ยวช่องไม่สามารถทำ นอกจากนี้ การใช้ fastreadoutเครื่องตรวจจับพิกเซล อิเล็กตรอนที่ถูกบันทึกไว้ในเวลาหนึ่งและซ้อนกันเป็นรูปสุดท้ายรูปแบบ [ 10 ] แต่รูปแบบทางพื้นที่กลางที่ไม่ได้รายงาน