As an example, Gao et al. have show

As an example, Gao et al. have shown that HiPIMS may be used for formation of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si with tunable thickness where the implantation depth of themetal ions is controlled by the substrate bias

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นตัวอย่างที่เก้าเอตอัล แสดงให้เห็นว่า hipims อาจจะใช้สำหรับการก่อตัวของฟิล์มบางเฉียบ nisi2 epitaxial ใน si ที่มีความหนาพริ้งที่ฝังลึกของไอออน themetal ถูกควบคุมโดยอคติพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นตัวอย่าง เกาและ al. ได้แสดงให้เห็นว่า HiPIMS สามารถใช้สำหรับการก่อตัวของฟิล์ม NiSi2 epitaxial ultrathin บนศรีกับ tunable หนาลึกฤทธิ์ของ themetal กันจะถูกควบคุม โดยความโน้มเอียงพื้นผิวที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นตัวอย่างที่ถือเป็น et al .ได้แสดงให้เห็นว่า hipims อาจจะใช้สำหรับการเกิด ภาพยนตร์ 2 nisi epitaxial ultrathin บนศรีมีความหนา tunable ปลูกที่ความลึกของไอออน themetal จะถูกควบคุมโดยมีการยึดไดย์กับที่