Nano-crystalline TiO2 coated on FTO

Nano-crystalline TiO2 coated on FTO, Ti and stainless
steel substrate were investigated. The sheet resistance of
metal substrate seems to be constant after annealing at
500 C but the FTO have a low ability to withstand heat
during the annealing processes, leading to an increase in
sheet resistance. The efficiency of DSC using Ti substrate
was higher than that of the DSCs using stainless steel and
FTO. To retain the decrease in cell performance, the DSCs
based on FTO need the metal track for collecting electrons.
A decrease in cell performance of large DSCs could be due
to the higher sheet resistance of the FTO. The DSCs based
Ti substrate did not need the metal track for transferring
the electron. The efficiency of DSC based on Ti substrate
was higher than that of DSC based on FTO substrate with
metal track by 28%. The efficiency of DSC using Ti
substrate attained 3.2% with a Jsc 6:94mAcm2, Voc
0.75 V, and FF 0.610. Moreover, the rate of decrease in FF
and efficiency of DSC using Ti substrate was lower than
that of the FTO. This indicated that Ti sheet is a possible
substrate for supporting TiO2 to produce the large DSCs

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เคลือบผลึกนาโน TiO2 บน FTO ตี้ และสแตนเลสตรวจสอบพื้นผิวเหล็กได้ ต้านทานของแผ่นที่พื้นผิวโลหะที่ดูเหมือนจะคงหลังจากการอบเหนียวที่500 C แต่ FTO มีความสามารถต่ำทนต่อความร้อนในระหว่างกระบวนการหลอม นำไปสู่การเพิ่มต้านทานแผ่น ประสิทธิภาพของการใช้พื้นผิวตี้ DSCมีสูงกว่าของ DSCs ใช้เหล็กกล้าไร้สนิม และFTO การรักษาลดลงในประสิทธิภาพของเซลล์ การ DSCsขึ้นอยู่กับ FTO ต้องติดตามโลหะสำหรับรวบรวมอิเล็กตรอนการลดประสิทธิภาพการทำงานเซลล์ของ DSCs ขนาดใหญ่อาจมีการต้านทานแผ่นสูงของ FTO จะ DSCs ตามตี้พื้นผิวไม่ต้องติดตามโลหะสำหรับการโอนย้ายอิเล็กตรอน ประสิทธิภาพของ DSC ตามพื้นผิวตี้มีสูงกว่าของ DSC ตามพื้นผิวของ FTO ด้วยติดตามโลหะ โดย 28% ประสิทธิภาพของ DSC ใช้ตี้พื้นผิวได้ 3.2% กับแบบ Jsc 6:94mAcm 2, Voc0.75 V และ FF 0.610 นอกจากนี้ อัตราการลดลงของ FFและประสิทธิภาพของ DSC ใช้ตี้พื้นผิวต่ำกว่าที่ของ FTO จะ ซึ่งระบุว่า แผ่นงานตี้เป็นไปได้พื้นผิวสำหรับสนับสนุน TiO2 เพื่อผลิต DSCs ขนาดใหญ่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

TiO2 ผลึกนาโนเคลือบบน FTO, Ti และสแตนเลส
พื้นผิวเหล็กถูกตรวจสอบ ต้านทานแผ่น
พื้นผิวโลหะที่ดูเหมือนว่าจะมีอย่างต่อเนื่องหลังจากการอบที่
500 องศาเซลเซียส แต่ FTO มีความสามารถต่ำในการทนต่อความร้อน
ในระหว่างกระบวนการอบอ่อนที่นำไปสู่การเพิ่มขึ้นของ
ความต้านทานแผ่น ประสิทธิภาพของการใช้สารตั้งต้น DSC Ti
สูงกว่าของ DSCs ใช้สแตนเลสและ
FTO เพื่อรักษาประสิทธิภาพการทำงานลดลงในเซลล์ DSCs
ขึ้นอยู่กับ FTO ต้องติดตามโลหะสำหรับการเก็บรวบรวมอิเล็กตรอน.
ลดลงของประสิทธิภาพของเซลล์ DSCs ขนาดใหญ่อาจเป็นเพราะ
การต้านทานแผ่นที่สูงขึ้นของ FTO DSCs ตาม
พื้นผิว Ti ไม่จำเป็นต้องติดตามโลหะสำหรับการถ่ายโอน
อิเล็กตรอน ประสิทธิภาพของ DSC ขึ้นอยู่กับพื้นผิว Ti
สูงกว่าของ DSC ขึ้นอยู่กับพื้นผิวที่มี FTO
ติดตามโลหะ 28% ประสิทธิภาพของการใช้ DSC Ti
ตั้งต้นบรรลุ 3.2% โดยมี Jsc ที่ 6: 94mAcm 2 Voc?
0.75 V และ FF 0.610 นอกจากนี้อัตราการลดลงของ FF
และประสิทธิภาพของการใช้สารตั้งต้น DSC Ti ต่ำกว่า
ที่ FTO แสดงให้เห็นว่าแผ่น Ti เป็นไปได้ที่
สารตั้งต้นในการสนับสนุนการผลิต TiO2 DSCs ขนาดใหญ่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคลือบผลึกนาโน TiO2 FTO , Ti และพื้นผิว
เหล็กกล้าไร้สนิม คือ แผ่นความต้านทานของโลหะพื้นผิวดูเหมือนจะคงที่

 เมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสแต่ FTO มีความสามารถต่ำ ทนต่อความร้อนในการอบ
กระบวนการที่นำไปสู่การเพิ่มขึ้นใน
ความต้านทานของแผ่น ประสิทธิภาพของ DSC ใช้ Ti (
สูงกว่าของ dscs ใช้สแตนเลสและ
FTO . เพื่อรักษาประสิทธิภาพลดลงในเซลล์ dscs
ตาม FTO ต้องติดตามโลหะสำหรับเก็บอิเล็กตรอน .
ลดลงในเซลล์ประสิทธิภาพของ dscs ขนาดใหญ่อาจจะเนื่องจาก
ให้สูงกว่าแผ่นความต้านทานของ FTO . การ dscs Ti ( ไม่ต้องใช้

ติดตามโลหะสำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนประสิทธิภาพของการใช้ขึ้นอยู่กับ TI (
สูงกว่าของ DSC ตามพื้นผิวกับ FTO
ติดตามโลหะ 28% ประสิทธิภาพของ DSC ใช้ Ti
หลากหลายบรรลุ 3.2 % กับ JSC 6:94macm  2 , VOC
3 V : 0.610 . นอกจากนี้ อัตราการลดลงใน FF
และประสิทธิภาพของ DSC ใช้ Ti พื้นผิวต่ำกว่า
ของ FTO . นี้แสดงให้เห็นว่าเป็นไปได้
Ti แผ่นสารเพื่อสนับสนุน TiO2 ผลิต dscs ขนาดใหญ่