When the junctions atgrain boundari

When the junctions at
grain boundaries are active, the ZnO varistors have electrical
function, which exhibit nonlinear voltage–current characteristics. This is similar to the back-to-back zener diode, whereas this
has much stronger absorption capability against transient overvoltage than that of zener diode

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อทางแยกที่อยู่แป วาริสเตอร์ ZnO มีไฟฟ้าทำงาน ซึ่งแสดงลักษณะแรงดันกระแสไม่เชิงเส้น นี่คือคล้ายกับกลับไปกลับซีเนอร์ไดโอด ขณะนี้มีความสามารถในการดูดซึมมากแข็งแรงกับแรงดันไฟฟ้าเกินชั่วขณะที่ซีเนอร์ไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อแยกที่
ข้าวเขตแดนมีการใช้งานวาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์มีไฟฟ้า
ฟังก์ชั่นซึ่งแสดงลักษณะแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันไม่เชิงเส้น นี้จะคล้ายกับกลับไปกลับซีเนอร์ไดโอดในขณะนี้
มีความสามารถในการดูดซึมที่แข็งแกร่งมากขึ้นกับ Overvoltage ชั่วคราวกว่าของซีเนอร์ไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อทางแยกที่ขอบเขตของงาน , ซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มีมีไฟฟ้าฟังก์ชันเชิงเส้นซึ่งมีแรงดัน–ปัจจุบันลักษณะ นี้จะคล้ายกับไดโอด Zener ชนกัน ส่วนนี้มีความสามารถในการดูดซึมที่แข็งแกร่งมากกับแรงดันชั่วครู่กว่าของซีเนอร์ไดโอด