Posteriorly, the NPsCu-GO/GCE were

Posteriorly, the NPsCu-GO/GCE were put in
0.1 mol L1 NaOH solution and scanned repetitively for 30 cycles
under potential range from 0.5 to 0.3 V at 100 mV s1 for surface
passivation [27]. For Comparison, an electrode was modified only
with GO (GO/GCE) and another one was modified under the same
conditions of the NPsCu-GO/GCE, however, a solution 0.1 mol L1
H2SO4 without CuSO45H2O was used (RGO/GCE).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Posteriorly, NPsCu-ไป/GCE ใส่ใน0.1 โมล L 1 NaOH โซลูชัน และสแกนเปลืองสำหรับรอบ 30ภายใต้ศักยภาพตั้งแต่ 0.5 ถึง 0.3 V ที่ 100 mV s 1 สำหรับผิวpassivation [27] สำหรับการเปรียบเทียบ การไฟฟ้าล่าสุดเท่านั้นไป (GCE ไป) และอีก หนึ่งล่าสุดภายใต้เหมือนกันเงื่อนไขของการ NPsCu-ไป/GCE อย่างไรก็ตาม เป็นโซลูชัน 0.1 โมล L 1ใช้กำมะถัน โดย CuSO4 5H2O (RGO GCE)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปลายทางที่ NPsCu-GO / GCE ถูกวางใน
0.1 mol L 1 การแก้ปัญหา NaOH และสแกนซ้ำ 30
รอบภายใต้ช่วงที่อาจเกิดขึ้นจากไหน? 0.5-0.3 V ที่ 100 mV s? 1
สำหรับผิวฟิล์ม[27] สำหรับการเปรียบเทียบขั้วมีการปรับเปลี่ยนเพียงกับ GO (GO / GCE) และอีกคนหนึ่งถูกปรับเปลี่ยนภายใต้เดียวกันเงื่อนไขของNPsCu-GO / GCE แต่วิธีการแก้ปัญหา 0.1 mol L 1 H2SO4 โดยไม่ต้อง CuSO 4? 5H2O ถูกนำมาใช้ (RGO / GCE)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

posteriorly , npscu ไป / GCE ใส่
0.1 โมล L  1 สารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ และสแกน repetitively 30 รอบ
ภายใต้ศักยภาพตั้งแต่  0.5 0.3 V 100 MV s  1 สำหรับผิวรุ้ง
[ 27 ] สำหรับการเปรียบเทียบการแก้ไขเพียง
กับขั้วไฟฟ้าไป / GCE ) และอีกหนึ่งคือแก้ไขได้ภายใต้เงื่อนไขเดียวกัน
ของ npscu ไป / GCE , อย่างไรก็ตาม , สารละลาย 0.1 โมล  1
lกรดซัลฟิวริกโดยไม่ใช้ CuSO4  อิเล็ก ( rgo / GCE )