Increasing the voltage ratings of I

Increasing the voltage ratings of IGBTs generally reduces
turn-on and turn-off di/dt and increases the switching loss [1].
For systems that require higher switching frequencies such as
high-voltage switch mode power supplies (SMPS) and pulsed
power applications, fast switching is essential to the performance
of the system with subsequent low turn-on and turnoff
losses. As such, a review of the inherent device structure
is important to understanding the loss mechanisms.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเพิ่มการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของ IGBTs ทั่วไปลด
เปิดและเปิดปิด di / dt และเพิ่มการสูญเสียการเปลี่ยน [1].
สำหรับระบบที่ต้องมีการเปลี่ยนความถี่ที่สูงขึ้นเช่น
สวิทช์แรงดันสูงอุปกรณ์ไฟฟ้าโหมด (SMPS) และ พัลซิ่ง
การใช้งานไฟฟ้าสลับที่รวดเร็วเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อการปฏิบัติ
ของระบบที่มีต่อมาต่ำเปิดและ turnoff
สูญเสีย เป็นเช่นนี้ทบทวนโครงสร้างอุปกรณ์โดยธรรมชาติ
เป็นสิ่งสำคัญเพื่อทำความเข้าใจกลไกการสูญเสีย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพิ่มแรงดันไฟฟ้าการจัดอันดับของ IGBTs โดยทั่วไปลด
เปิดบนและหันออก di/dt และเพิ่มการสูญเสียเปลี่ยน [1] .
สำหรับระบบที่ต้องการสูงสลับความถี่เช่น
พลังงานแรงสูงสลับโหมดอุปกรณ์ (SMPS) และสูง
พลังงานประยุกต์ การสลับอย่างรวดเร็วเป็นสิ่งสำคัญเพื่อประสิทธิภาพ
ระบบ turn-on ต่ำตามมาและ turnoff
ขาดทุน เช่น ทบทวนโครงสร้างอุปกรณ์แต่กำเนิด
จะต้องเข้าใจกลไกการขาดทุน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเพิ่มขึ้นของแรงดันไฟฟ้าการจัดอันดับของ igbts โดยทั่วไปแล้วช่วยลด
ซึ่งจะช่วยปิด - เปิดและการเปิด - ปิด di / dt และเพิ่มการสลับการสูญเสีย[ 1 ]..
สำหรับระบบที่ต้องการให้สูงขึ้นการสลับความถี่เช่น
แรงดันสูงสวิตช์โหมดแหล่งจ่ายไฟ(ร่่วม)และพลังงานให้กับแอพพลิเคชั่น
ซึ่งจะช่วยให้การสลับไปมาอย่างรวดเร็วเป็นสิ่งจำเป็นที่จะให้ ประสิทธิภาพ การทำงานของ
ซึ่งจะช่วยให้ระบบพร้อมด้วยต่อมาต่ำเปิดและเปลี่ยนเส้นทาง
ซึ่งจะช่วยสร้างความเสียหาย. เมื่อเป็นเช่นนี้การตรวจสอบที่มีโครงสร้างเป็นอุปกรณ์ที่มีอยู่มีความสำคัญ
ซึ่งจะช่วยในการทำความเข้าใจกลไกการสูญเสีย