Capacitive-resistive field computat

Capacitive-resistive field computations are carried out around post-type HV insulators of varying
shapes. Thc boundary clcment method (UEM) has been employed for clectric field coinyutations.
Different insulator shapes havc bccn obtained by varying scvcrd parameters, which
definc the shape of the HV insulator contour. For each insulator shape, tlic maximum stress
occurring on the insulator surfacc has been dctcrmined with no surface pollution, uniform
surface pollution and also partial surface pollution. For partial pollution, scvcral cases havc
bccn studied, in which differcnt sections of the insulator surface are pollutcd. Furthennorc,
thc cffect of elcctrode radius on the maximuin stress on insulator surface bas been investigatcd.
The results obtained are presented in this paper in dctail.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประมวลผล Capacitive ทานฟิลด์ดำเนินการรอบฉนวน HV หลังชนิดที่แตกต่างรูปร่าง Thc ขอบ clcment วิธี (UEM) ได้รับการว่าจ้างสำหรับ clectric ฟิลด์ coinyutationsฉนวนกันความร้อนที่แตกต่างกันรูปร่างได้ โดยแตกต่างกันพารามิเตอร์ scvcrd, bccn havc ซึ่งdefinc รูปร่างของเส้นฉนวน HV สำหรับแต่ละรูปฉนวนกันความร้อน ความเครียดสูงสุด tlicเกิดขึ้นบน surfacc ฉนวนกันความร้อนได้ dctcrmined กับไม่มีมลพิษ surface เหมือนกันมลภาวะที่ผิว และยังมลภาวะผิวบางส่วน สำหรับมลพิษบางส่วน scvcral กรณี havcbccn ศึกษา ที่ differcnt ส่วนของพื้นผิวฉนวนเป็น pollutcd Furthennorcthc cffect ของ elcctrode รัศมีใน bas ผิวฉนวนความ maximuin รับ investigatcdผลลัพธ์ที่ได้จะแสดงอยู่ในเอกสารนี้ได้ใน dctail

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

capacitive ทานคำนวณข้อมูลจะดำเนินการออกไปรอบ ๆ โพสต์ประเภทฉนวน HV ที่แตกต่างกันของ
รูปทรง THC วิธีเขตแดน clcment (UEM) ได้รับการว่าจ้างสำหรับ coinyutations ฟิลด์ clectric.
รูปร่างฉนวนกันความร้อนที่แตกต่างกัน havc bccn ที่ได้จากการที่แตกต่างกันพารามิเตอร์ scvcrd ซึ่ง
definc รูปร่างของฉนวนกันความร้อน Contour HV สำหรับแต่ละรูปร่างฉนวนกันความร้อนความเครียดสูงสุด tlic
ที่เกิดขึ้นบน surfacc ฉนวนกันความร้อนที่ได้รับการ dctcrmined กับพื้นผิวที่ไม่มีมลพิษเครื่องแบบ
มลพิษพื้นผิวและยังพื้นผิวมลพิษบางส่วน มลพิษบางส่วนกรณี scvcral havc
bccn ศึกษาซึ่งใน differcnt ส่วนของพื้นผิวฉนวนกันความร้อนที่มี pollutcd Furthennorc,
cffect THC รัศมี elcctrode บนความเครียด maximuin บนพื้นผิวฉนวน Bas รับ investigatcd.
ผลที่ได้จะถูกนำเสนอในบทความนี้ใน dctail

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การคำนวณแบบ Resistive จะดำเนินการรอบ ๆสนาม ประเภทของการโพสต์นี้ :รูปร่าง วิธี clcment ขอบเขตงาน ( กด ) ได้รับการว่าจ้างให้ coinyutations สนาม clectric .ฉนวนกันความร้อนที่แตกต่างกันรูปร่าง havc bccn ได้โดยการแปรพารามิเตอร์ scvcrd ซึ่งdefinc รูปร่างของ HV ฉนวนของ ฉนวนกันความร้อนสำหรับแต่ละรูปร่าง tlic สูงสุดความเครียดเกิดขึ้นบนฉนวน surfacc ได้รับ dctcrmined ไม่มีพื้นผิวมลพิษ , เครื่องแบบมลพิษและมลภาวะผิวพื้นผิวด้วยบางส่วน และบางส่วน scvcral กรณี havcbccn ศึกษา ซึ่งในส่วนของ differcnt ผิวลูกถ้วยเป็น pollutcd . furthennorc ,cffect THC ของรัศมี elcctrode บน maximuin ความเครียดบนผิวลูกถ้วยบัสถูก investigatcd .ผลลัพธ์ที่ได้จะถูกนำเสนอในบทความนี้ใน dctail .